蝴蝶兰工厂化生产及组培养殖技术.docVIP

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  • 2017-10-03 发布于重庆
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蝴蝶兰工厂化生产及组培养殖技术

目录 摘要 3 1前言 4 1.1研究的目的和意义 4 1.2超群花卉公司概况 4 2工厂化生产设施要求 4 2.1组培室总体要求 4 2.1.1准备间 4 2.1.2灭菌室 5 2.1.3操作间 5 2.1.4培养室 5 2.2温室设施要求 5 2.2.1通风系统 5 2.2.2室内外遮阴系统 5 2.2.3内加温保温系统 5 2.2.4湿帘降温系统 6 2.2.5活动苗床 6 3工厂化生产技术流程及在生产实践时的技术要求 6 3.1生产流程图 6 3.2诱导 6 3.2.1外植体及其处理 6 3.2.2花梗诱导 7 3.3继代增殖 7 3.4生根与炼苗 7 3.5小苗阶段管理 8 3.5.1移栽 8 3.5.2光照 8 3.5.3温度 8 3.5.4水份 8 3.5.5施肥 8 3.6中大苗阶段管理 9 3.6.1温度 9 3.6.2水份 9 3.6.3施肥 10 3.6.4促花条件 10 3.6.5病虫害防治 10 3.7销售 11 3.7.1包装标准 11 3.7.2蝴蝶兰盆花质量等级划分标准 12 4结论 12 致谢 13 参考文献 14 摘要 本文主要对蝴蝶兰在新疆地区的气候条件下进行规模化生产所需具备的设施以及工厂化生产技术流程及在生产实践时的技术要求进行了阐述。 组培技术具有生产流程短、繁殖速度快、整齐度高、品质稳定等特点,是进行工厂化生产的最佳方法,培养基的配置是组培技术中至关重要的一部,一般在诱导时使用:1/2MS+BA2.5mg/L+NAA0.2mg/L,继代增殖时使用:1/2MS+BA3.5mg/L+KT1.0mg/L+NAA0.5mg/L+耶乳10%,生根培养时使用:1/2MS+BA1.5mg/L+NAA0.3mg/L+80g/L香蕉泥。而温室是幼苗到成品苗养殖的必须场所。对于在苗期管理时温度应维持在20℃-30℃,光照维持在6000lx-8000lx,浇水则需要间干间湿,施肥浓度不可过高要薄肥勤施喜高气温、高湿度、通风半阴环境,忌水涝气闷。越冬温度不低于15度。由于蝴蝶兰出生于热带雨林地区,本性喜暖畏寒。生长适温为18~30,冬季15C以下就会停止生长,低于10容易死亡 3.2诱导 3.2.1外植体及其处理 选用已开花花梗的下端休眠芽和分化苗的叶片作为外植体。将剪去上端花序的花梗剪切成10~15cm,用纯净水冲洗1~2h,然后在超净工作台上先用75%酒精侵泡30s,无菌水冲洗后放入0.105%Hgcl2溶液中侵泡7~8min,无菌水冲洗5~8次。 3.2.2花梗诱导 处理后的花梗切成2~3cm长的切断,每段一个侧芽,基部向下插入诱导培养基(1/2MS+BA2.5mg/L+NAA0.2mg/L,此时为细胞分裂素偏多)。先放置于培养室进行7~10d黑暗培养,然后光照培养,光照强度1000~2000lx,光照10h/d,培养温度(26℃)。5~10d后开始萌动,诱导率可达90%以上。 需要注意的是:在花梗休眠芽的诱导过程中,80%左右的休眠芽萌发后,长成类似花梗侧枝的细嫩梗茎,约20d后,待其长至3~5cm,有2~3个芽点时将其切离花梗,并将其重新切断,基部向下重新放入诱导培养基中,约10~20d,下端切口、侧芽、上端切口等部位均出芽,其中以侧芽出芽率最高,较快地分化处丛生芽,下端切口的出芽次之,分化频率不高,但启动后出芽较多。 3.3继代增殖 花梗和叶片诱导出从生芽,接种于继代培养基(1/2MS+BA3.5mg/L+KT1.0mg/L+NAA0.5mg/L+耶乳10%,此时需加大生长素的浓度),培养温度(26℃),光照强度2000lx,光照时间10h/d。每40~50d继代1次,增殖倍数2~3倍。继代增殖的初期宜用5~10mg/ml浓度的62BA较快地积累材料,随着继代次数的增加,特别是10代以后或变异株开始出现以后,只能用1~5mg/ml浓度62BA促进丛生芽的生长,并在生产中及时清除变异株[6]。 需要注意的是:丛生芽的增殖生长表现出一定的群体效应,即当丛生芽切割成只有1~2个芽时,丛生芽的增殖大大减少,大多数1个继代周期后几乎没有增殖,但丛生芽有一定的长大。当有3~5个芽或更多时,丛生芽的增殖较为正常。切割丛生芽时,只能将丛生芽轻轻分开,不可对丛生芽的四周进行分割,否则会切割伤口太多而导致培养基褐化较快,不利于丛生芽的生长与分化,甚至会造成丛生芽的死亡。对一些较大的芽(芽高115cm以上,单轴茎直径0.15cm上)进行横切可以提高增值率,横切后会在切口的下部长出一轮丛生芽,增值率可以提高3~5倍。因蝴蝶兰单轴茎较短小,在切割时对切割部位的掌握要准,否则会将芽切死或因没有切去顶芽而达不到应有的增值率。 3.4生根与炼苗 当芽长至115~3cm高,2~3片叶时,即可转入生根培养基(1/2MS+BA1.

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