高等电力电子技术 第一章.pptVIP

a) GTO b) GCT 1.硬驱动 由于IGCT驱动单元的特殊设计，其门极和阴极的杂散电感大大降低，仅为同容量级的GTO的1/10，关断时所承受的di/dt可以比标准的GTO驱动大两个数量级，可以使用硬驱动。 2.缓冲层 缓冲层是在高阻层N-和阳极的P+ 发射极之间参杂的N层。在阳极附近设置缓冲层的目的是为了在相同的阻断电压下减小硅片的厚度，进而减小通态和关断损耗。 3.透明阳极发射极 为了实现较低的通态压降，晶闸管结构仍然保留导通器件特性，而为了同时获得小的关断损耗，阳极三极管的增益被限制并且被做成很薄并且弱掺杂。以便在关断阶段，当阳极电压开始建立时，电子可以通过发射极被清除出去而不需中和空穴。电子这种在关断时不需激发就可以穿过阳极的特性，被称为透明发射极。 1.4.1 IGCT的结构和特点 1.4.2 IGCT工作原理 IGCT工作原理主要取决于GCT的工作过程。总体说来，GCT的开通机理和GTO完全一样，但关断过程有很大的差别，其等效原理图如图1-14所示 。 当GCT工作在导通状态时，是一个晶闸管一样的正反馈开关，携带电流能力强而且通态压降低，导通机理与GTO完全一致。当器件需要关断时，门极P沟道MOSFET先导通，部分主电流从阴极向门极换相，然后阴极N沟道MOSFET关断，使主