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光电耦合器的封装及其发展 龙 乐 （龙泉长柏路98号，1栋208室，四川 成都610100） 摘要：本文就国内外光电耦合器的封装结构及其关键技术展开评述，介绍这类器件的性能。特点、封装结构类型、关键技术、发展趋势，从实际应用出发，注重器件本身的物理结构和生产制造技术。 关键词：封装；光电耦合器；光电器件 中图分类号：TN36 文献标识码：A 1引言光电耦合器也称为光电隔离器或光耦合器，有时简称光耦。这是一种以光为耦合媒介，通过光信号的传递来实现输人与输出间电隔离的器件，可在电路或系统之间传输电信号，同时确保这些电路或系统彼此间的电绝缘。近年来，随着半导体技术、光电子学的深入发展，光耦的结构设计、封装制作技术也不断创新，各种类型产品相继问世，数千种型号构成几百个品种系列，研发成为一个独立的种类繁多、性能优良的半导体器件门类，广泛应用于计算机及其外设接口、工控、电信、仪器仪表、数据总线、高速数字系统、数字I／O口、模／数转换、数据发送、单片机接口、电平转换、信号及级间隔离、脉冲放大等范围，甚至在电源技术的线性隔离、电量反馈、电流传感、电量变换等各个场合都有成功的应用，市场需求量持继增长，发展极其迅速。 2光电耦合器的性能特点光耦的基本结构是将光发射器(红外发光二极管、红外LED)和光敏器(硅光电探测敏感器件)的芯片封装在同一外壳内，并用透明树脂灌封充填作光传递介质，通常将光发射器的管脚作输入端，光敏器的引脚作为输出端，当输入端加电信号时，光发射器发出的光信号通过透明树脂光导介质投射到光敏器后，转换成电信号输出，实现了以光为媒介的电→光→电信号转换传输，并在电气上是完全隔离的。光耦的主要性能特点如下：隔离性能好，输入端与输出端完全实现了电隔离，其绝缘电阻RISO一般均能达到1010Ω以上，绝缘耐压VISO在低压时都可满足使用要求，高耐压一般能超过lkV，有的可达10kV以上。光信号单向传输，输出信号对输入端无反馈，可有效阻断电路或系统之间的电联系，但并不切断他们之间的信号传递。 光信号不受电磁干扰，工作稳定可靠。 抗共模干扰能力强，能很好地抑制干扰并消除噪音。 光发射和光敏器件的光谱匹配十分理想，响应速度快，传输效率高。易与逻辑电路连接。无触点、寿命大、体积小、耐冲击。工作温度范围宽，符合工业和军用温度标准。从应用方面看，要求光耦在不同的应用场合，具有各自相应的特性，电流传输比CTR大，线性度好，绝缘电压高，高速大容量，导通后压降小。光耦的耦合效率(即CTR)和隔离特性是其主要的诱人之处，研发的产品种类可满足不同场合的需求，提高电子线路的可靠性。 3光电耦合器封装结构 光耦的封装结构大体分为内封装与外封装两大部分，将光发射器和光敏器管芯、集成电路芯片、封装材料以及封装外壳设计、制作技术的有机结合，不同的结构组合可形成各种各样的光耦，极大地丰富了光耦的品种，派生出各种型号产品，有按性能、封装结构、输出形式、用途等几种不同的分类方法。按光耦封装结构的外壳类型的分类如表1所示，其目的是将光耦的内部电路与外界相隔离密封，以免受到外界的干扰，同时可提高光耦的可靠性，并使整个光耦外形尺寸、性能规范化，同一型号的光耦往往采用多种独特的封装形式，满足应用场合的要求。简而言之，从内部的光电器件管芯、光传输结构到外部的封装结构外壳，不同的结构设计具有各自的特点，通过结构设计，改善光耦的内外部结构，可生产出实际应用所需的特性。 光耦内封装的作用是形成内部的信号传输体系，提高器件的电籽睦，还可从其内部光敏探测器管芯结构来分类，具体情况如表2所示。其中每一种类型也可细分，例如，硅光敏三极管输出型光耦可分为无基极连接，基极与集电极并联连接，两只光敏三极管(一只用于伺服反馈机制上)，二级光敏三极管组合而成的达林顿管、电阻达林顿管、光敏场效应管、多路腔体隔离单通道等多种输出形式。光耦的封装结构包括内部固定光发射器与光敏器件的附着框架及距离、位置、合理布局结构，光信号传输的光通道和耦合穹顶结构，不同的光传输结构，其内封装的形式也存在差异，多与其他半导体器件有不同的构架。光耦的封装虽独特，但应用要求光必须高效率地从输入端耦合到输出端，通过改进结构，提高整个光耦的综合性能。 4光电耦合器的关键技术光耦通常采用4、6、8或16引脚的各式DIP封装，在DIP封装工艺流程中，光耦封装还需要复杂和费时的过成型(overmolding)处理，包括目视预耦合、耦合对准、点胶填充透明树脂、清除多余树脂等工序，将增加光耦封装的时间和费用。以多路小型24引脚DIP封装光耦为例，介绍其工艺流程：陶瓷基片制作→厚膜电路制作→烧结压焊→管芯测试→耦合对准→中测→装架→封装→检漏→老化筛选→成测→打标，制作工艺的关键选用优质的高速GaAl