Cu2ZnSnS（Se）4、CdIn2S4纳米结构的制备及其光电性质的研究.pdf

  中文摘要 Cu ZnSnS(Se) 、CdIn S 纳米结构的制备及其光电性质的研究 2 4 2 4 论文作者：张伟 指导教师：于文学 教授 杨海滨 教授 专业名称：材料物理与化学 太阳能被认为是取之不尽用之不竭的可再生能源。在太阳能电池的研究中， 不断探索寻找具有潜在应用前景的新型光电材料，以及开发高效低成本的制备方 法是非常重要的研究方向。目前，研究最多的太阳能电池是薄膜化合物太阳能电 池，薄膜太阳能电池具有光吸收系数大、制备方法简单、抗腐蚀性强等优点。在 薄膜太阳能电池中 CuIn(Ga)Se2 太阳能电池有着优异的表现，其能量转换效率已 接近 20% 。然而材料中的In 和 Ga 是稀有贵金属元素，限制了 CuIn(Ga)Se2 太阳 能电池的大面积生产。 近年来, Cu ZnSnS(Se) 由于具有与CuIn(Ga)Se 材料相似的结构和光学性质 2 4 2 并且材料中不包含贵金属元素而受到越来越多的重视。Cu ZnSnS(Se) 材料是直 2 4 接带隙半导体，禁带宽度在 1.3-1.6 eV 之间，光吸收系数大于 104 cm-1 ，被认为 是理想的薄膜太阳能电池吸收层材料。但是, 目前制备Cu2ZnSnS(Se)4 的方法主要 局限在热蒸发技术、磁控溅射、激光脉冲沉积、原子束溅射等。这些方法都有着 各自的缺点如反应物昂贵、设备复杂、制备中产生有毒物质等。溶剂热法是一种 制备半导体材料常用的化学方法，具有设备简单、易于操作等特点。但是目前关 于溶剂热法制备 Cu2ZnSnS(Se)4 的报道依然很少。针对这种情况，我们在本文中 研究了利用简单方便的溶剂热方法制备不同形貌结构的纳米结构和薄膜，并首次 制备了 Cu ZnSnSe 的纳米管阵列，讨论了纳米管阵列的生长机制。此外，我们 2 4 研究发现具有片状结构的 CdIn S 薄膜同样可以通过水热法制备，并且展现出良 2 4 好的光电性质。 (1) 利用溶剂热技术，以二甲基甲酰胺为溶剂，制备了具有空心球状的 I     Cu ZnSnS 纳米结构。实验表明，溶剂中的 PEG 对空心球状 Cu ZnSnS 的形成起 2 4 2 4 关键作用。 (2)根据不同反应条件的对比试验结果详细地讨论了空心球状的 Cu ZnSnS 2 4 的生长机制。空心球状Cu ZnSnS 的生长可以分为三个过程，首先是溶液中的金 2 4 属离子与 PEG 分子作用，吸附在 PEG 分子表面。之后是在反应温度下溶液中产 生 S2-, 金属离子与 S2- 反应生成球状的 Cu ZnSnS 结构。 最后经过 Ostwald