微电子工艺原理- 第5讲 清洗工艺 2摘要.pptVIP

1 SiGe-gate/high-k/SiGe pMOSFETs 作业 作业： 1现代IC 制造依赖哪三道防线来控制沾污？ 2现代IC 制造通过哪些措施来实现环境净化？ 3 净化级别是怎样定义的？ 4 在IC生产过程中可能出现的污染物有哪些，及这些污染的来源？ 5 落在Si片表面的颗粒的附着机理和去除方法？ 6 金属污染的来源，影响与去除方法？ 7 有机物的污染的来源，影响与去除方法？ 8 自然氧化层的存在带来的问题和去除溶液是什么？ 9 有机物，光刻胶的两种常见去除方法是？ 10 RCA代表什么意思，SC-1和SC-2代表什么，有什么用途？ 11 现代CMOS的硅片清洗工艺？ 12 吸杂的三步骤是什么，碱金属和其它金属具体是怎样通过吸杂得到净化的？ 湿法清洗的问题（1） 表面粗糙度：清洗剂、金属污染对硅表面造成腐蚀，从而造成表面微粗糙化。SC-1中，NH4OH含量高，会对硅造成表面腐蚀和损伤。 降低沟道内载流子的迁移率，对热氧化生长的栅氧化物的质量、击穿电压都有破坏性的影响。 Ra(nm) Mixing ratio of NH4OH(A) in NH4OH+H2O2+H2O solution (A:1:5, A1) 降低微粗糙度的方法： 减少NH4OH的份额 降低清洗温度 减少清洗时间 Wu et al., EDL 25, 289 (2004). Surface roughness (nm) Surface roughness (nm) 不同清洗（腐蚀）方法与表面粗糙度 Surface roughness (nm) Ebd (MV/cm) 表面粗糙度降低了击穿场强 颗粒的产生 较难干燥 价格 化学废物的处理 和先进集成工艺的不相容 湿法清洗的问题（2） 干法清洗工艺 气相化学，通常需激活能在低温下加强化学反应。 所需加入的能量，可以来自于等离子体，离子束，短波长辐射和加热，这些能量用以清洁表面，但必须避免对硅片的损伤 HF／H2O气相清洗 紫外一臭氧清洗法（UVOC） H2／Ar等离子清洗 热清洗 其它方法举例 其他去除污染物的方法之吸杂 把重金属离子和碱金属离子从有源区引导到不重要的区域。 器件正面的碱金属离子被吸杂到介质层（钝化层），如PSG、Si3N4 硅片中的金属离子则被俘获到体硅中（本征吸杂）或硅片背面（非本征吸杂） PSG=Phosphosilicate Glass 磷硅酸盐玻璃 硅中深能级杂质（SRH中心） 扩散系数大 容易被各种机械缺陷和化学陷阱区域俘获 吸杂三步骤： 杂质元素从原有陷阱中被释放，成为可动原子 杂质元素扩散到吸杂中心 杂质元素被吸杂中心俘获 高扩散系数＋间隙扩散方式＋聚集并占据非理想缺陷（陷阱）位置 深能级金属离子的吸杂： Aus＋I ? AuI 踢出机制 Aus ? AuI＋ V 分离机制 引入大量的硅间隙原子，可以使金Au和铂Pt等替位杂质转变为间隙杂质，扩散速度可以大大提高。 方法 高浓度磷扩散 离子注入损伤 SiO2的凝结析出 激活 ? 可动，增加扩散速度。替位原子 ? 间隙原子 PSG——可以束缚碱金属离子成为稳定的化合物 超过室温的条件下，碱金属离子即可扩散进入PSG 超净工艺＋Si3N4钝化保护——抵挡碱金属离子的进入 其他金属离子的吸杂： 本征吸杂—— 使硅表面10－20mm范围内氧原子扩散到体硅内，而硅表面的氧原子浓度降低至10ppm以下。利用体硅中的SiO2的凝结成为吸杂中心。 非本征吸杂——利用在硅片背面形成损伤或生长一层多晶硅，制造缺陷成为吸杂中心。在器件制作过程中的一些高温处理步骤，吸杂自动完成。 碱金属离子的吸杂： 本征吸杂工艺更易控制 造成的损伤范围大 距有源区更近 缺陷热稳定性好 方法：外延或热循环处理 外扩散 凝结成核 沉淀析出 bipolar 净化的三个层次：环境、硅片清洗、吸杂 本节课主要内容小结1 净化级别 高效净化 净化的必要性 器件：少子寿命?，VT改变，Ion? Ioff?，栅击穿电压?，可靠性? 电路：产率?，电路性能? 杂质种类：颗粒、有机物、金属、天然氧化层 强氧化 天然氧化层 HF:DI H2O 本征吸杂和非本征吸杂 硅片清洗 湿法清洗：Piranha，RCA（SC－1，SC－2），HF:H2O 干法清洗：气相化学 吸杂三步骤：激活，扩散，俘获 碱金属：PSG，超净化＋Si3N4钝化保护 其他金属：本征吸杂和非本征吸杂 ——大密度硅间隙原子＋体缺陷 SiO2的成核生长。 硅片背面高浓度掺杂，淀积多晶硅 本节课主要内容小结2 * * 1、清洗的概念及超净室环境介绍 2、污染的类别及清除过程 第五讲之 Si片的清洗工艺 三道防线: 净化环境（