晶体管的频率特性.pptxVIP

晶体管的频率特性 理 学 院 §4.3 晶体管的开关特性 一、晶体管的开关作用 二、晶体管的开关过程 三、提高开关晶体管开关速度的途径 一、晶体管的开关作用 1. 晶体管的开关作用 1. 开关管的要求：  Vces越小越好，最好→0  Iceo越小越好，最好→0  BVceo高（使用范围大）  开关时间短 2. 晶体管的开关区域 3. 截止区和饱和区的少子分布 截止区 Vbe0(A) Vbc0 Vbe=0(B) Vbc0 Iceo 饱和区 （1）饱和的原因 定义：临界饱和状态 放大区饱和区 （2）少子分布 线性放大状态 临界饱和状态 饱和状态（超量储存电荷） （3）电流传输 过驱动电流 定义饱和深度 二、晶体管的开关过程 二、晶体管的开关过程 二、晶体管的开关过程中的少子分布 1、延迟时间td 缩短延迟时间td的方法： 减小发射结势垒电容 减小集电结势垒电容 增大基极注入电流， 使势垒电容充电进程加快 减小反向脉冲幅度 2、上升时间tr 2、上升阶段基区少子分布 0 请注意这是在线性区阶段的少子分布图 缩短上升时间tr的方法： 减小发射结势垒电容 减小集电结势垒电容 增大基极注入电流， 但要注意深饱和 增大基区少子寿命，减小基区复合电流 3、存储时间ts 抽取基区和集电区超量储存电荷 减小存储时间的途径： ①减小基极驱动电流 ②增大基极抽取电流 ③缩短基区电子寿命和集电区空穴寿命 4、下降时间tf 减小下降时间的途径： ①减小发射结和集电结势垒电容 ②增大基极抽取电流 ③缩短基区电子寿命和集电区空穴寿命 三、提高开关晶体管开关速度的途径 1、从晶体管内部考虑 ①掺金，减小饱和时超量存储电荷，加速集区复合 ②减小结面积 ③减小基区宽度，降低tr和tf 2、从晶体管外部考虑 ①加大IB，缩短td和tr，但避免过大使饱和深度S过大 ③工作在临界饱和状态