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　　研究线性时域CMOS智能温度传感器使用曲率补偿振荡器外文翻译 研究线性时域CMOS智能温度传感器使用曲率补偿振荡器外文翻译 导读： 线性时域CMOS智能温度传感器使用曲率补偿振荡器 摘要：本文介绍了一种面积高效时域的CMOS智能温度传感器使用具有-40℃?120 ℃温度范围可操作性的线性增强的曲率补偿振荡器。该逆变器的智能温度传感器可以大幅的降低集成温度传感器的成本和电路的复杂性。然而，一个大的曲率在温度~时间转换曲线上存在着基于逆变器的延迟线，并导致传感器输出的线性度较差。为了成本的减少和错误的改进，一个由振荡器和放大器构成的温度脉冲发生器环用来产生一个热感测脉冲与足够的宽度正比于绝对温度（ PTAT ） 。然后，简单但有效的片内曲率补偿振荡器同时开始计数并补偿曲率线性化PTAT脉冲。用这种简单的结构，该传感器在TSMC一个非常小的区域0.07平方毫米中具有0.35微米CMOS 2P4M数字化进程。通过使用一个振荡器为基础方案的设计，该传感器实现了在0.045 ℃高分辨率下没有显著增加电路面积。随着曲率补偿，在 -1.2 ?0.2 °C的误差范围内实现了-40 ℃?120℃后两点校准为14封装的芯片。功耗在10个样品/ s的采样率下测量是23 μOS技术制造的温度传感器更具有竞争力和吸引力。 为了进一步与数字VLSI系统融合，并减少微控制器的任务，模拟 - 数字转换器（ADCs）逐渐融入热传感器组成的所谓的“智能或智能温度传感器” [1-4] 中。通过温度传感器被测量的温度通常转换成电压信号，然后将相应的ADC用于随后的数字输出编码。通常在大的芯片面积和功耗损失的情况下ADC至少要有10bits信号输出才会被分辨出来。此外，为了与标准数字CMOS工艺完全兼容，减少测量误差，复杂的电路以及片上附加的校准技术说明，普遍接受了电路的复杂性，消耗更多的芯片面积和功耗。 图1.时域智能温度传感器的原理框图[ 5 ] . 在最近几年，一种创新的时域智能温度传感器，提出了从总体上减少智能传感器的VLSI系统的成本和电路的复杂性，如图1 [5]，以逆变器为基础的温度-脉冲发生器作为温度传感器是用来测试温度转换成宽度PTAT脉冲。然后所产生的脉冲输入TDC转换器（TDC ），而不是ADC 产生的通信数字信号。在STMC 0.35微米CMOS数字工艺中，芯片尺寸仅0. 3 4 5 6 7 研究线性时域CMOS智能温度传感器使用曲率补偿振荡器外文翻译 导读： 09平方毫米，并且测量误差为±0.6 ℃，在-40到60 °C温度范围内两点校准。耗电量为9 μOS工艺中温度传感器具有的区域面积为0.05平方毫米，以及在0-100 °C范围内二点校准误差为-1.6-3.0 ℃。它只消耗了220nOS的操作，另一种405nOS智能传感器具有差分温度感应延时的发电机[8]被提出。0.18-μm CMOS工艺中芯片尺寸为 0.03平方毫米，以及在0-100 °C范围内二点校准误差为-0.8-1.0 °C。此外，为了降低高容量生产成本，提出了进行全数字变换器基于温度传感器自校准用的基准时钟，以除去单点校准工艺偏差的影响 [ 9 ] 。在0-60 ℃的范围内对芯片进行3测试的误差为-5.1-3.4 ℃。在65-nm CMOS工艺下核心区面积是0.01平方毫米 ，并且功率消耗是150 μOS技术下该电路功能的转化率最快可达366kHz和最小尺寸为0.0066平方毫米。 图2。智能温度传感器阻断前曲率补偿图 [ 12 ] 。 与电压传感器相比[1-4]时域变换器为基础的传感器具有成本低，结构简单等优点，但也有线性较差的缺点。因为大的曲率在温度~时间转换曲线上存在着基于逆变器的延迟线。为了提高线性度，芯片上两个线性延时线之间的曲率补偿的技术是创造实现了相关的时域传感器[ 12 ]中最高的准确度。该体系结构逐次逼近算法（ SAR）的智能温度传感器重绘于图2 ，对于温度敏感度来说，延迟线（ TDDL ）随着温度而变化 ，类似于在[5]中是用来产生一个PTAT延迟。两个D型组成的偏移时间消除电路触发器（的DFFs ）更换大量偏移补偿延时单元，用于减少时间偏移面临在较低的试验温度约束。 SAR控制逻辑，可调基准延迟线（ ARDL ）和时间比较器可以被看作是一个等效TDC转换的TD 3 4 5 6 7 研究线性时域CMOS智能温度传感器使用曲率补偿振荡器外文翻译 导读：常小的和VT（T）是通过进一步划分VDD公式（2），以减少其对TD的影响（T）（VDDgt;gt;Vt（T）在这种情况下），忽略VT的热效应为了简单和td的热效应（T）是由移动性控制。因此，本TD（T）的温度系数为正：其中，γ是一个过程灵敏度常数，并且是几乎与温度无关，而温度指数-k