Ni50．3 Mn27．3 Ga22．4磁性形状记忆合金薄膜的磁场增强马氏体相变应变研究.pdfVIP

第 12卷 第 16期 2012年6月 科 学 技 术 与 工 程 Vo1．12 No．16 Jun．2012 1671— 1815(2012)16-3827—04 ScienceTechnologyandEngineering ⑥ 2012 Sci．Tech．Engrg． 矿冶技术 Ni5o．3Mn27．3Ga22．4磁性形状记忆合金薄膜的 磁场增强马氏体相变应变研究 刘 超 牟海维 孙 祺 张 坤 (东北石油大学电子科学学院，大庆 163318) 摘 要 采用磁控溅射方法制备Ni Mn Ga22磁性形状记忆合金薄膜。研究薄膜的晶体结构、磁化行为以及磁场对马氏 体相变应变的影响。试验结果表明，经823K退火 1h的Ni∞．，Mn ，Ga22．薄膜 ，室温下处于奥氏体态，呈较强的(110)织构特 性，且室温饱和磁化强度约为40emwg。试验还发现，当沿膜面方向施加0到0．8T磁场时，Ni5。3Mn．3G 薄膜的马氏体相 变应变量随磁场强度的增大而增大，呈现出磁场增强马氏体相变应变效应。 关键词 NiMnGa 形状记忆合金 薄膜 马氏体相变 中图法分类号 TG111．92； 文献标志码 B Ni．Mn．Ga磁性形状记忆合金是一种在外磁场 学特性的研究相对较少，而有关 Ni-Mn-Ga薄膜磁 作用下发生马氏体孪晶变体再取向，或磁场诱发马 场增强马氏体相变应变的研究尚未见报道。已有 氏体相变而产生大可逆应变的新型形状记忆材料， 研究表明，外加磁场可以作为附加驱动力对 Fe基 兼具大输出应变量和高响应频率特点。近年来受 合金的马氏体 的形核及长大过程产生影响 ¨ 。 到科研工作者的广泛关注 l2J。然而，Ni—Mn—Ga合 Ni—Mn—Ga薄膜作为一种具有热弹性马氏体转变的 金体材料尚存在脆性大的缺点，在很大程度上限制 磁性形状记忆薄膜，其马氏体转变发生在铁磁相 了这种材料的应用。为克服Ni—Mn．Ga合金块体材 状态下，由于马氏体与母相的磁化强度矢量不同， 料的问题，且能发挥磁性形状记忆合金大磁致应变 外加磁场不可避免的要作为一附加能量影响其马 和高响应频率的优点，开展Ni—Mn—Ga磁性形状记忆 氏体的成核及长大过程，进而将对 Ni．Mn．Ga薄膜 合金薄膜的研究引起 了科技工作者的浓厚兴趣。 马氏体相变过程中体现出来的相变诱发应变产生 目前，以微机电系统 (MEMS)为应用背景的Ni-Mn— 影响。因此，本文采用磁控溅射方法制备 N 。 Ga薄膜在制备工艺优化 J、马氏体相变行为及微 Mn” Ga： 合金薄膜 ，考察外磁场对薄膜马氏体相 观组织结构 。等方面的研究工作已有报道。研 ． ， ． 变应变的增强作用及其变化规律，并对其作用机 究表明，Ni—Mn—Ga薄膜的马氏体相变温度不但对成 制进行了探讨 。 分敏感，而且亦受制备工艺、薄膜厚度 以及退火温 度等因素的影响 。但对于 Ni．Mn—Ga薄膜磁 1 试验 1．1 Ni50M n Ga22 合金薄膜的制备 2012年3月 16日收到 国家 自然科学基金项 目、 ． 3 ． 3 ． 4 黑龙江省留学归国科学基金项 目(LC2009C11)、黑龙江省 利用沈阳科学仪器公司生产的EB500型高真 高校青年学术骨干支持项 目(1251G004)、黑龙江省教育厅 空