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模拟电子技术答疑 第一章 半导体器件 　　问题一、为什么说在空间电荷区内几乎没有载流子？ 　　问题二、二极管短路，是否应该有电流流通？把一个有玻璃壳的二极管刮去外面的黑漆，两端接一微安表，不接任何电源在光照之下电表是否有指示？把它加温到50°Ｃ，过一段时间后，电表是否有指示？ 　　问题三、实验测出的二极管外特性与二极管方程式所表示的规律有何不同？ 　　问题四、在用万用表测二极管的正向电阻值时,用Ω×１档测出的电阻值小,而用Ω×100挡测出的电阻值大,为什么？ 　　问题五、在稳压管的击空机理中,为什么VZ4V是齐纳击穿而VZ7V是雪崩击空？三极管的发射结，发射区掺杂度高基区掺杂浓度低，如果击穿，又属于什么机理？ 　　问题六、如何用较简单的办法测试稳压管的极性和好坏？如何区分整流用的二极管和稳压管？ 　　问题七、两个硅稳压管，VZ1=6V，VZ2=9V。把两者串联时可得到几种稳压值？把两者并联时又如何？ 　　问题八、双极型三极管有两个ＰＮ结。如果仿照这种结构，用两个二极管反向串联，并提供必要的外部偏置条件，能获得与三极管相似的电流控制和放大作用吗？为什么？ 　　问题九、对晶体三极管,ICIB,是否在这个意义上说它有电流放大作用？反之，IC IE，是否就没有放大作用？ 　　问题十、怎样利用万用表判断出双极型三极管的三个极和类型（NPN或PNP型）？ 　　问题十一、在用图1-21的线路测量双极型三极管的特性时，（１）对电压表V1和V2有什么要求？把V1的正端改接测量IB的微安表的正端，有什么影响？（２）在测量输出特性时，令VCC＝0，则测量IC的毫安表的指针反转，这是为什么？把IC固定为一值后，每当改变VCC时，IB都会变化，这是为什么？ 　　问题十二、什么是二极管和晶体管的击穿？为什么晶体管ICICM时，只是β下降，管子不一定损坏？ 　　问题十三、三极管的反向击穿电压为什么?有V(BR)CBO≈V(BR)CESV(BR)CERV(BR)CEO的关系？ 　　问题十四、什么是场效应管的沟道、沟道电阻？为什么场效应管是多子导电？ 　　问题十五、场效应翻案在漏端预夹断后，为什么还有漏电？ 　　问题十六、为什么结型场效应管没有增强型的工作方式？ 答案如下： 一、为什么说在空间电荷区内几乎没有载流子？ 　　答：ＰＮ结各区所带的电荷，应由该处杂质离子与载流子电荷的总和来决定。在空间电荷的总和来决定。在空间电荷区以外的Ｐ区或Ｎ区中，杂质离子的电荷被载流子电荷所补偿，总电荷等于零，所以是电中性的。在进入空间电荷区后，多数载流子（对Ｐ区是空穴，对Ｎ区是自由电子）的浓度将迅速地降低到对方区域少数载流子的浓度,就不足以完全补偿杂质离子的电荷了。必须注意到除边界以外,在大部分空间电荷区中,多数载流子的浓度很快减小以至耗尽。所以,如果忽略空间电荷区中载流子的电荷,就可以认为,空间电荷区中的总电荷密度主要由杂质离子决定。一般认为空间电荷区的电荷密度等于杂质离子的电荷密度，而载流子浓度近似为零。这种近似模型叫做耗尽层近似。空间电荷区也叫耗尽层。 返回 二、二极管短路，是否应该有电流流通？把一个有玻璃壳的二极管刮去外面的黑漆，两端接一微安表，不接任何电源，在光照 之下电表是否有指示？把它加温到50°Ｃ，过一段时间后，电表是否有指示？ 　　答：二极管短路时没有电流。原因是ＰＮ结两端虽有电位差，但是在半导体和金属电极接触处，也有接触电位差，后者抵消了ＰＮ结两端的电位差。金属一半导体结和ＰＮ结不同：（１）没有单向导电性，（２）接触电位差和外加电压的极性及幅值无关。这种接触叫做欧姆接触。从另一种角度分析，如果有电流，金属导线就会发热，二极管就要冷却。作为一个热平衡的整体，要产生这种现象是不可能的。所以，二极管短路时Ｉ＝０。二极管受光照后，光能激发半导体内的载流子，产生电子-空穴对。对Ｐ区和Ｎ区的多子来说，原来浓度很大，受光激发后浓度变化不大。但是对少子来说，原来浓度很小，受光激发后浓度可能增大很多倍。因此，光照对多子的扩散运动影响不大，但却大大加强了少子的漂移运动。在ＰＮ结电位差的作用下，这些增加的少子漂移过ＰＮ结，形成反向电流。光照愈强，反向饱和电流愈大。 如果把二极管加热后，使之稳定在50°而不再加热，则在新的热平衡下，电表指示又将为零。总之，二极管要有电流，除了必须有ＰＮ结这一内因之外，还必须有外因，即必须外加能量。一般用电能，也可以用光能、热能、辐射能等。 返回 三、实验测出的二极管外特性与二极管方程式所表示的规律有何不同？ 　　答：二极管伏安特性的实验值与理论计算值有不同之处。对正向特性：由于引线电阻和Ｐ区、Ｎ区体电阻的存在，实际作用在ＰＮ结上的电压比外加电压要小，所以正向电流的实际值要比理论计算值小。对反向