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离子注入对SiO2表面非晶碳薄膜的化学状态及摩擦学-摩擦学学报
第 2 1 卷 第 1 期 摩 擦 学 学 报 2 1, 1
V o l N o
200 1 年 1 月 TR IBOL O GY J an , 200 1
离子注入对 SiO 2 表面非晶碳薄膜的化学状态
及摩擦学性能的影响
徐 洮, 杨生荣, 齐尚奎, 吕晋军, 薛群基
( 中国科学院兰州化学物理研究所 固体润滑国家重点实验室, 甘肃 兰州 730000)
摘要: 采用真空蒸镀法在 SiO 2 表面制备非晶态碳纳米薄膜, 考察了碳离子注入对非晶态碳薄膜与基体结合强度及摩
擦学性能的影响, 并采用X 射线光电子能谱表征了碳薄膜基体的界面化学状态. 研究结果表明: 非晶态碳薄膜经碳
离子注入处理后, 碳薄膜与基体的结合强度及其耐磨寿命均明显提高; 当碳离子注入剂量达到 1 ×10 16 + 2 时, 碳
C cm
薄膜与基体的结合强度增加, 但碳薄膜耐磨寿命的提高幅度有限; 当注入剂量达到并超过 5 ×10 16 + 2 后, 碳离子
C cm
注入所引起的碰撞混合和化学混合作用直接导致碳薄膜与 基体界面处的原子扩散以及 键的形成, 从而大
SiO 2 Si C
幅提高碳薄膜与基体的结合强度及其耐磨寿命.
关键词: 离子束混合; 非晶碳薄膜; 摩擦学性能
( )
中国分类号: T G 174. 444 文章标识码: A 文章编号: 200 1 0 1000604
采用离子束混合技术, 可在低温下通过非平衡态 200 k eV 的离子注入机上进行碳离子注入, 注入能量
16 17 + 2
键合作用实现薄膜与基体界面间的原子级混合, 甚至 为 110 , 剂量为 1 ×10 ～ 1 ×10 , 靶室
k eV C cm
- 3 - 3
可在无相互反应和互不相容的物质之间也能实现原 真空度为 3 ×10 ～ 5 ×10 P a ,
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