二氯矽烷磊晶矽氯化氢.PPT

了解 磊晶 (Epitaxy) 了解 磊晶 (Epitaxy) 了解 磊晶 (Epitaxy) 了解 磊晶 (Epitaxy) 桶狀式反應器(Barrel Reactor) 垂 直 式反應器(Vertical Reactor) 水平式反應器(Horizontal Reactor) 了解 磊晶 (Epitaxy) 磊晶製程,單晶圓磊晶系統 磊晶層可能的缺陷 了解 磊晶 (Epitaxy) 結語摘要 * 四技光電三A 光電半導體 分組報告 主題 ： 磊晶成長 報告人：第三組 黃冠翔 4970B048 黃國棠 4980B001 蘇慶倫 4980B003 楊佳諶 4980B004 宋綱祥 4980B005 指導老師：蔡夢華 助理教授 了解 磊晶 (Epitaxy) ＊從字義上來看是源自於希臘的兩個字 ＊ epi:在某物之上 ＊ taxies:安排好的，有秩序的 ＊磊晶製程是在單晶片上長一層薄的單晶層 ?何為磊晶? 了解 磊晶 (Epitaxy) ?磊晶目的? ＊源自於雙載子電晶體的載體層 --在高集極崩潰電壓時用來降低集極電阻 ＊比晶圓晶體有較低的氧碳濃度 所以可增強動態隨機記憶體(DRAM) 互補型金氧半電晶體積體電路(CMOS IC) 的性能 了解 磊晶 (Epitaxy) ?磊晶應用? ~矽磊晶層在雙載子電晶體的應用~ N型磊晶層 p n + n + P型晶片 電子流 n + 深埋層 p+ p+ SiO2 (二氧化矽) Al?Cu?Si(鋁.銅.矽) 基極 集極 射極 ↑本圖轉用自歐亞書局出版半導體製程技術導論 P106 圖4.19(a) ?磊晶應用? ~矽磊晶層在CMOS的應用~ P型晶圓 N型井區 P型井區 STI n+ n+ USG p+ p+ 金屬 1, Al?Cu BPSG W P型磊晶矽 ↑本圖轉用自歐亞書局出版半導體製程技術導論 P106 圖4.19(b) 氣相磊晶(MOCVD) →高溫(約1000度C)CVD的矽磊晶層成長是 半導體工業用來長單晶矽層的方法。 →一般常用的矽源材料氣體(Silicon Source Gases)是矽烷(SiH4)、二氯矽烷(DCS,Si H2Cl2) 、三氯矽烷(TCS,SiHCl3) 磊晶矽成長步驟的化學反應式為： (加熱 攝氏1000度) SiH4 → Si + 2H2 矽烷 磊晶矽 氫 (加熱 攝氏1100度) SiH2Cl2 → Si + 2HCl 二氯矽烷 磊晶矽 氯化氫 (加熱 攝氏1100度) SiHCl3 → H2 → Si + 3HCl 二氯矽烷 氫 磊晶矽 氯化氫 ＊磊晶矽也可使用氣相摻雜物，如砷化 氫(ASH3)、三氫化磷(PH3)和氫化硼 (B2H6)與矽源材料氣體在反應器內成 長薄膜時進行摻雜的動作。 ＊在高溫中，這些摻雜的氫化物受熱分 解而釋放出砷、磷、硼進入磊晶矽薄 膜中。這就可以達成磊晶層的臨場摻 雜(In-situ Dooing)。 臨場摻雜的化學反應式為： (加熱 約攝氏1000度) AsH3 → As + 3/2H2 砷化氫 砷 氫 (加熱 約攝氏1000度) PH3 → P + 3/2H2 三氫化磷 磷 氫 (加熱 約攝氏1000度) B2H6 → 2B + 3H2 氫化硼 硼 氫 磊晶成長步驟 SiH2Cl2 Si AsH3 As AsH3 H HCl H2 ↑本圖轉用自歐亞書局出版半導體製程技術導論 P108 圖4.20 磊晶矽成長和摻雜製成 矽源材料氣體在不同溫度下磊晶矽 成長速率 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 0.01 0.02 0.05