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光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究.pdf
45卷第6期 人 工 晶 体 学 报 v。1．45No．6
兰Q!鱼生鱼旦 !Q旦堡盟垒垦Q!曼兰盟!旦垦旦垦垦曼兰塑垒堡 ．：：：：：：：：：里坚坚』丝!!!I_：
光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究
吴庆辉1，唐慧丽2…，苏良碧1，罗平2…，钱小波1，吴 锋2…，徐 军2’3
(1．中国科学院上海硅酸盐研究所，上海201800；2．同济大学物理科学与工程学院，上海200092；
3上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹)，上海201800)
mmx40
摘要：采用光学浮区法生长了尺寸4,8
于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征，进行了腐蚀实验，在光学显微镜下观察到缺陷密度为6X104／cm2。光学
测试表明，与纯单晶相比，Ge：3-Ga20，单晶在红外波段存在明显吸收，只有位于蓝光区域的两个荧光峰，抑制了紫
的电学性能的确有改善。
关键词：Ge：3-Ga，O，单晶；晶体生长；光学浮区法；电导率
中图分类号：078 文献标识码：A
onGrowthand of
Properties SingleCrystal
Study Ge：13l—Ga203
ZoneMethod
byOpticalFloating
WU Jun2，3
Hui．1i23，SU Xiao—b01，WUFen923，XU
Qing．huil，TANG Liang—bil，LUOPin923，QIAN
Instituteof of
Ceramics，ChineseSciences，Shanghai201800，China；
(1．Shanghai Academy
2．Schoolof Scienceand 200092，China；
Physical Engineering，Ton西iUniversity，Shanghai
Research
3．ShanghaiSapphireSinSteCrystal Center(Setting)，Shanghai201800，China)
29 2
(ReceivedFebruary Apr／l2016)
2016，accepted
with40mmin and8mmindiameterwas zone
Abstract：Ge：3-Ga203 length grownbyopticalfloating
method．XRDfortheobtainedshowthe tomonoclinic
pattern crystal crystalbelongs crystalsystem．Etch
formedafterKOHsolution
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