光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究.pdfVIP

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光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究.pdf

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光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究.pdf

第44卷第9期人工晶体学报 v01．44N。．9 2015年9月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS September．2015 光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究张小桃1”，谢建军1，夏长泰2，张晓欣1，肖海林2，赛青林2，户慧玲2 (1．上海大学材料科学与工程学院，上海200444；2，中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800) 摘要：作为垂直结构的GaN基LED新型衬底材料，p—Ga20，单晶已经引起了人们的广泛关注。B．Ga20，单晶的导电性是通过掺杂来实现的，Sn4+掺人是其中一种很好提高3-Ga20，导电性的方法。利用光学浮区法生长了尺寸为 5×20 Gaz0，的电导率增加，样品的最高电导率为2．210 S／cm，同时sn4+的掺入会抑制13-G％0，的红绿光发射。关键词：Sn：3-Ga：O，；浮区法；电导率；荧光光谱中图分类号：078 文献标识码：A Growthand of PropertiesSn：15-Ga203SingleCrystalby ZoneMethod OpticalFloating ZHANG Xiao．tao”，XIE Xiao．xinl，魉0Hai．1in2， Jian-junl，XIAChang．tai2，ZHANG SAI Qi昭．1in2，HUHui．1in92 ofMaterialsScienceand (1．School Engineering，ShanghaiUniversity，Shanghai200444，China； Instituteof andFine of 2．Shanghai Optics Mechanics，ChineseAcademySciences，Shanghai201800，China) 14March (Received 2015) anewsubstratematerialofverticalstructureGaN—based Abstract：As crystal LED，3-Ga203single attractswide of is achieved Sn4+isa attention．The conductivityB—Ga203 bydoping．Dopinggood methodto of with5×20 improveconductivityp—Ga203singlecrystal．10％Sn：p—Ga203single．crystal mm2si’zewas the zone defect