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负偏压温度不稳定性（NBTI）-氢反应模型 本组成员：ZY1114126 孙道宇 ZY1114107 高鹏飞 SY1114307 王亚辉 SY1114227 苏泉 摘要 负偏压不稳定性（NBTI)现在已经成为影响PMOS器件失效的一个关键因素，NBTI使器件的失效已经成为人们越来越关注的问题。本文对NBTI效应的影响因素及失效模式做了分析，并对PMOSFET中的NBTI效应机理中的氢反应模型做了研究。并对后续的可视化仿真做了基础工作。 关键词：NBTI PMOS 失效机理 氢反应模型 NBTI的定义及使PMOSFET器件退化的表现 NBTI效应是指对器件施加负的栅压和温度应力条件下所发生的一系列现象，NBTI效应对器件的退化作用主要表现为阈值电压的负向漂移，亚阈值斜率S的减小，跨导和漏电流的减小等。随着MOSFET进一步向纳米级发展，器件沟长越来越短，栅氧厚度越来越薄都使NBTI效应越来越严重，新工艺采用诸如氮化硼氧等的采用也是MOSFET器件的可靠性问题变得越来越复杂。 PMOSFET中的NBTI效应研究 NBTI对PMOSFET器件最大的影响就是阈值电压的负向漂移，因此，阈值电压的漂移是器件失效的主要特征。我们把作为在NBTI效应下的“失效判据”。只要阈值电压的漂移量大于10%我们就判定器件失效。 我们分析影响NBTI效应因素时，采用的是只让一个量改变而其他量不变的方法。因此我们主要从以下几个方面分析影响NBTI的因素： 1.在一定温度和栅压应力下，时间应力对NBTI效应的影响; 2.应力温度对NBTI效应的影响； 3.栅压应力对NBTI效应的影响； 4.PMOSFET器件结构对NBTI效应的影响。 在每种情况下我们分析器件阈值电压的漂移情况，根据失效判据确定器件是否失效。 影响NBTI的因素 3.1.应力时间对NBTI 的影响 3.1.1阈值电压随时间的漂移情况 上图a，b( 式(中，是指多晶硅与衬底间的接触电势差； ，称为费米势，其中q是电子电荷，是衬底的掺杂浓度，是本征载流子浓度，K为玻尔兹曼常数，T为绝对温度； 为耗尽区的电荷密度，其值为，其中q是电子电荷，是受主杂质浓度，是是半导体表面势，真空介电常数，二氧化硅介电常数； 单位面积氧化层电容，，是栅氧厚度，是电子的迁移率； 是氧化层电荷密度； 是平带电压，，其中是界面陷阱电荷密度，是表面势。 图b为双对数坐标下阈值电压漂移率与时间的关系，很显然，在双对数坐标下器件的阈值电压漂移率与应力时间成线性关系。也就是说NBTI效应导致器件阈值电压漂移符合幂函数变化的规律，其退化表达式符合关系式： ( 从而得出： ( 式中是阈值电压变化量； 阈值电压初始值； 工艺相关常数； 是和工艺器件相关的条件参数； 是时间； 。 3.1.2漏电流随应力时间的漂移 在NBTI应力作用下，饱和区漏电流退较线性区漏电流大。因为在NBTI过程中阈值电压的退化量最为明显，而漏电流的退化受阈值电压的漂移影响是非常大的。可以通过饱和、线性漏电流两者与阈值电压的关系推导出阈值电压的漂移对他们退化的影响。 先来看饱和漏电流与阈值电压的关系，饱和漏电流的公式如下： ④ 对饱和漏电流公式求微分经整理可得到： ⑤ 对上式取近似值就可以得到阈值电压漂移对饱和漏电流退化的影响： ⑥ 式中是沟道宽度； 是电子迁移率； 是饱和漏电流； 是栅压应力； 是阈值电压； 是沟道长度； 是共发射极电流放大系数； 是单位面积氧化层电容，，是栅氧厚度，是电子的迁移率。 线性漏电流与阈值电压的关系，线性电流的公式： ⑦ 对线性漏电流公式求关于阈值电压的微分，经整理可得： ⑧ 对上式取近似值可得： ⑨ 式中是线性漏电流； 是漏电压。 有上述关系可以得出这样的结论：随着