第五篇 场效应管.pptVIP

在T1 位置上画出合适的FET； 若T1的漏极电位VD= 14V，其gm = 3ms，求T1的静态值ID、VDS、VGS？ 若T2的β = 50，VBE = 0.6 V，求T2的静态值IB、IC、VCE？ 画出微变等效电路，并求AV、Ri、RO。 两级电压放大电路如下图所示。 * * * vGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，vGS越大此电阻越小。 P N N G S D vDS vGS P N N G S D vDS vGS 当vDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当vDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 P N N G S D vDS vGS 夹断后，即使vDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 iD vDS增加，vGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 iD vGS VT 输出特性曲线 iD v DS 0 VGS0 四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管vGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 iD vGS VT 输出特性曲线 iD vDS 0 vGS=0 vGS0 vGS0 五、说明： （1）MOS管由四种基本类型； （2）MOS管的特性与结型场效应管的特性类似； （3）增强型的MOS管的vGS必须超过一定的值以使沟道形成； 耗尽型的MOS管