电子学讲义场效应电晶体科年级班座号姓名电晶体1符号a.docVIP

一、電晶體： 1.符號 a.PNP b.NPN 2.結構 a.射極( )：雜質摻雜濃度 ，負責 b.基極( )：雜質摻雜濃度 ，負責 c.集極( )：雜質摻雜濃度 ，負責 3.偏壓方式 工作區：BE接面 ，BC接面 接線圖 只要B-E間的偏壓超過障壁電位VBE，就會產生順向電流 ，通過基極時會有一小部分的電子與B極的電洞結合，形成 ，而B-C間的偏壓會使射極的其他電子到達集極，形成 Si的VBE = V ，Ge的VBE = V 飽和區：BE接面 ，BC接面 截止區：BE接面 ，BC接面 4.特性曲線 5.電流關係 a. IE= b. IC= IB電流放大率(( c. IC= IE= d.α與 β的關係 FET和BJT之差異 FET(場效應電晶體) BJT(雙極性電晶體) 導通電流控制