CMOS轻掺杂漏(LDD)注入工艺.pdf

现在COMS工艺多采用的双阱工艺制作步骤主要表现为以下几个步骤： ■ N阱的形成 1. 外延生长 *外延层已经进行了轻的P型掺杂 2. 原氧化生长 这一氧化层主要是a)保护表面的外延层免受污染，b)阻止了在注入过 程中对硅片过度损伤，c)作为氧化物层屏蔽层，有助于控制流放过程中杂质的注入 深度 3. 第一层掩膜 ，n阱注入 4. n阱注放（高能） 5. 退火 退火后的四个结果：a)裸露的硅片表面生长了一层新的阴挡氧化层，b)高温使 得杂质向硅中扩散c)注入引入的损伤得到修复，d)杂质原子与硅原子间的共价键被 激活，使得杂质原子成为晶格结构中的一部分。 ■ P阱的形成 1. 第二层掩膜， p阱注入 *P阱注入的掩膜与N阱注入的掩膜相反 2. P阱注入（高能） 3. 退火 浅槽隔离工艺（STI） 相信很多在现在看工艺厂的相关文档时，会看到有些图上面标有STI 的注释，STI是英文 shallowtrenchisolation的简称，翻译过来为 浅槽隔离 工艺。 STI通常用于0.25um 以下 工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物， 用于与硅隔离。 下面详细介绍一下浅槽隔离的步骤，主要包括：槽刻蚀、氧化物填充和氧化物平坦化。  槽刻蚀 1. 隔离氧化层。硅表面生长一层厚度约15 埃氧化层；可以做为隔离层保护有源区在 去掉氮化物的过程中免受化学沾污。 2. 氮化物淀积。硅表面生长一薄层氮化硅：a)由于氮化硅是坚固的掩膜材料，有助于 在STI氧化物淀积过程中保护有源区 b)在CMP时充当抛光的阻挡材料。 3. 掩膜，浅槽隔离 4. STI槽刻蚀。在经过上面的光刻之后把没有被光刻胶保护的区域用离子和强腐蚀性 的化学物质刻蚀掉氮化硅、氧化硅和硅。需要注意的是会在沟槽倾斜的侧壁及圆滑 的底面有助于提高填充的质量和隔离结构的电学特性  氧化物填充 1. 沟槽衬垫氧化硅 硅片再次清洗和去氧化物等清洗工艺后，高温下在曝露的隔离槽侧壁上生长15 埃 的氧化层，用以阻止氧分子向有源区扩散。同时垫氧层也改善硅与沟槽填充氧化物 之间的界面特性 2. 沟槽CVD氧化物填充  氧化物平坦化 1. 化学机械抛光 2. 氮化物去除 多晶硅栅结构工艺 晶体管中的多晶硅栅(polysilicongate)结构的制作是整个CMOS流程中最关键的一步，它的 实现要经过栅氧层的形成和多晶硅栅刻蚀这两个基本过程，多晶硅栅的最小尺寸决定着一个 工艺的特征尺寸，同进也为下面的源漏注入充当掩膜的作用，这也是做为IC版图工程师需 要掌握的基础知识。 多晶硅栅结构制作基本步骤一：栅氧化层的生长。清洗掉硅片曝露在空气中沾染的杂质和形 成的氧化层。进入氧化炉生长一薄层二氧化硅。 多晶硅栅结构制作基本步骤二：多晶硅淀积。硅片转入通有硅烷的低压化学气相淀积设备， 硅烷分解从而在硅片表面淀积一层多晶硅，之后可以对poly进行掺杂。 多晶硅栅结构制作基本步骤三：多晶硅光刻。 在光刻区利用深紫外线光刻技术刻印多晶硅 结构。 多晶硅栅结构制作基本步骤四：多晶硅刻蚀。利用异向等离子体记刻蚀机对淀积的多晶硅进 行刻蚀，得到垂直剖面的多晶硅栅。 轻掺杂漏工艺（LDD） 随着栅的宽度不断减小，栅结构下的沟道长度也不断的减小，为了有效的防止短沟道效应， 在集成电路制造工艺中引入了轻掺杂漏工艺（LDD），当然这一步的作用不止于此，大质量 材料和表面非晶态的结合形成的浅结有助于减少源漏间的沟道漏电流效应。同时LDD也是 集成电路制造基本步骤的第四步。 N-轻掺杂漏注入(nLDD) N-LDD光刻 刻印硅片，得到N-区注入的光刻胶图形，其它所有的区域被光刻胶保护 N-LDD注入，在未被光刻胶保护的区域进入砷离子注入，形成低能量浅结 （砷的分子量大有 利于硅表面非晶化，在注入中能够得到更均匀的掺杂深度） P-轻掺杂漏注入(pLDD) P-LDD光刻 刻印硅片，得到P-区注入的光刻胶图形，其它所有的区域被光刻胶保护 P-LDD注入 采用更易于硅表面非晶化的氟化硼进入注入，形成的也是低能量的浅结 侧墙的形成 为了防止大剂量的源漏注入过于接近沟道从而导致沟道过短甚至源漏连通，在CMOS 的 LDD注入之后要在多晶硅栅的两侧形成侧墙。侧墙的形成主要有两步：1. 在薄膜区利用