模拟电子技术 第1讲.ppt

第一章 半导体器件 第二章 基本单元电路 第三章 多级放大电路与频率响应 第四章 集成运算放大器 第五章 功率放大电路 第六章 放大电路中的反馈 第七章 集成运算放大器的应用 第八章 信号发生电路 第九章 直流稳压电源 PN结正偏导通；反偏截止，这种性质称PN结的单向导电性。 结论： 3 、 ＰＮ结的反向击穿特性 当PN结的反向偏压超过某一数值(ＵＢR)后, 反向电流会急剧增大, 这种现象称为反向击穿。UBR称为击穿电压。  PN结处于反向偏置时, 在一定电压范围内, 流过ＰＮ结的电流是很小的反向饱和电流Is。   ＰＮ结的反向击穿  雪崩击穿 齐纳击穿 4、 PN结的电容效应(了解) 结电容=势垒电容+扩散电容 势垒电容CB是由阻挡层宽窄变化所等效的电容。 扩散电容CD是多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的。 PN结的等效电路 结电阻 结电容 正偏时：Cj主要由CD决定 反偏时：Cj主要由CB决定 工作在低频时CD、 CB都不大，一般可忽略 第二节 半导体二极管 一、二极管的结构 半导体二极管的型号: 按PN结分 点接触 面接触 按材料分 硅管 锗管 按用途分 普通管 整流管 如2CWXX、2APXX 器件材料，C为N型Si管 XX表示器件序号 器件类型，W为稳压管 二、二极管的伏安特性曲线及电流方程式 1.二极管的电流方程式 UT为温度电压当量， 常温下，UT = 26 mV 加正向电压时 加反向电压时 反向饱和电流 当 时 2 伏安特性曲线 正向特性 反向特性 二极管的伏安特性 iD = 0 Uon = 0.5V Uon=0.1V (硅管) (锗管) U ? Uon 0 ? U ? Uon UDQ = (0.6 ? 0.8) V 硅管取 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管取 0.2 V Uon ：开启电压或死区电压 1.正向特性 工作电压 二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA Uon 反向特性 IS U(BR) 反向击穿 iD = IS 0.1?A(硅) 几十?A(锗) PN 结两端外加的反向电压增加到一定值时反向电流急剧增大 (反向击穿) 2.反向特性 U(BR) U 0 U U(BR) 反向饱和电流 三、环境温度对伏安特性曲线的影响 当温度升高时，正向特性曲线左移。 反向饱和特性曲线下移。 其变化规律为 温度每升高 ， 减小 四、二极管的主要参数 1 最大整流电流 2 最大反向工作电压 3 反向电流 4 最高工作频率 　　二极管长时间工作时允许通过的最大直流电流。 　　二极管正常使用时允许加的最高反向电压。 　　使用时应注意流过二极管的正向最大电流不能大于这个数值，否则可能损坏二极管。 　　使用中如果超过此值，二极管将有被击穿的危险。通常取UBR的一半。 五、二极管的等效分析 1 二极管的直流电阻与交流电阻 （1）直流电阻RD RD与Q点位置有关:工作点越高直流电阻越小。 加到二极管两端的直流电压与流过二极管的电流之比, 称为二极管的直流电阻ＲＤ, 即 （2）交流电阻 几何含义：过Q点外切线斜率的倒数 当在直流工作点加一个交流小信号时 常温下 在二极管工作点附近,电压的微变值ΔＵ与相应的微变电流值ΔＩ之比, 称为该点的交流电阻ｒｄ, 即 与Q点位置有关:工作点越高交流电阻越小。 与Q点位置有关:工作点越高交流电阻越小。 2 等效电路 （1）理想二极管 理想二极管的死区电压和正向电压降都等于零，反向电流也等于零，理想二极管在电路中相当于一个开关元件 。 在如图所示电路中，已知 为正弦波，二极管的正向压降和反向电流均可忽略（理想二极管），定性画出输出电压 的波形。 例1：二极管整流 （2）考虑正向压降时的等效电路 导通时正向压降为一常量Uon,截止时反向电流为0. 例2：二极管限幅 在如图所示电路中，已知 为正弦波，二极管的正向压降为0.7V,反向电流可忽略,定性画出输出电压 的波形。 V （3）考虑Uon和正向特性斜率的等效电路 理想二极管 （4）微变等效电路 二极管等效为一个动态电阻 常温下： 六、稳压二极管： 1 稳压管的主要特点：工作在反向击穿区，电流变化较大，而端电压基本不变。 应用反向击穿现象具有稳压效应的特殊二极管。 2 在正向导通时，稳压管的正向特性与普通二极管相同，其导通电压为0.7伏。 3 稳压管的工作条件： 4 稳压管的主要参数 (1)稳定电压 (2)最小稳定电流 (3)最大稳定电流 (4)动态电阻 (5)额定功耗 反偏且击穿; 2. 稳压管反向击穿后，通过