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第一章 半导体器件 §1.1　半导体的基础知识 §1.1　半导体的基础知识 N 型半导体和 P 型半导体 二极管结构 二极管的单向导电性： 　正向导通：正偏时，内部呈现较小的电阻，有较大的电　　　　　　　　　流流过，相当于开关闭合 　反向截止：反偏时，内部呈现较大的电阻，几乎没有电流流过，相当于开关断开 五、二极管的主要参数 ２、发光二极管LED（Light Emitting Diode） * 常用半导体材料:　硅、锗 半导体器件：二极管、三极管、场效应晶体管 电子产品：电视机、电话机、计算机、手机、数码相机等 　　一、导电材料分类： 　　　　　　　　　导体： 电的良导体，如纯金属及其合 金、 酸碱盐水溶液等 　绝缘体：电的不良导体，如陶瓷、橡胶等 　半导体 ：?导电能力介于导体和绝缘体之间 物质，如硅、锗、砷化镓等 二、半导体分类 本征半导体： 　纯净的晶体结构完整的半导体 如硅、锗单晶体。（均为4价元素） 杂质半导体：　掺入杂质元素的半导体 （导电性能增强） 　　　　　　　分　Ｐ型半导体 　　　　　　　　　Ｎ型半导体 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 空穴为多数载流子 电子为少数载流子 杂质半导体的导电性能:主要取决于多子浓度，而多子浓度主要取决于掺杂浓度，其值较大且稳 定，因此导电性能得到明显提高。少子浓度主要与本征激发有关，对温度敏感，温度升高，其值增大。 构成：PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 　　　　　　　　　阳极（正极）　 阴极（负极） 二极管的电路符号 二极管常见外型图： 三、　二极管的结构、特性 二极管由一个PN结构成，具有单向导电性。二极管电流ID随外加于二极管两端的电压uD的变化规律?，称为二极管的伏安特性曲线 四、二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线 　　死区：死区电压在室温下硅管　　　　　Uth≈0.5V，锗管Uth≈0.1V。 　　正向导通：当外加正向电压大于Uth后，二极管的电流随外加电压增加而显著增大，电流与外加电压呈指数关系. （1）正向特性： 正向压降: 硅管约为0.７V; 锗管约为0.3V; 用UD(ｏn)表示。 （2）反向特性： 二极管两端加上反向　电压时，反向饱和电流IS很小 反向击穿特性 二极管两端反向电压超过U(BR)时，反向电流IR随反向电压的增大而急剧增大，? U(BR) 称为反向击穿电压。 IF — 最大整流电流(最大正向平均电流)??? URM — 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 IR — 反向电流(越小单向导电性越好) fM — 最高工作频率(超过时单向导电性变差) １、稳压二极管 反向击穿区，且为工作区。 正向运用：相当于导通二极管 VZ=0.7V 反向运用：VZ=V反，起稳压作用 六、特殊二极管及其应用? 发光二极管是一种通正向电流时就会发光的二极管，根据制成材料的不同，可发出红、橙、黄、绿、蓝色光。发光二极管电路路符号如下图所示。发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，不过它的正向导通电压大于1V，同时发光的亮度随通过的正向电流增大而增强，工作电流为几个毫安到几十毫安，典型工作电流为10mA左右。发光二极管的反向击穿电压一般大于5V，但为使器件稳定可靠工作，应使其工作在5V以下。 *