第1章第1节理论基础新
二、 光电导效应 三、 光伏效应 四、 热释电效应 本章着重介绍两个主要内容:另一个是半导体光电器件的物理基础,如能带理论、PN结理论、半导体光电导效应和光电发射过程等。这些是以后各章所述具体光电器件的理论基础,对于正确理解和掌握各种光电器件的原理、性能和用法是十分重要的。 固体的能带理论是理解固体的导电性能所必须的重要理论,它奠定了半导体物理的理论基础。 现代物理学描绘固体中原子外层电子运动的一种图像。当原子互相靠近结成固体时,各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而,外层价电子则参与原子间的相互作用,应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。 能带理论的最大成就是它能够解释半导体现象。原来在半导体中,能带也是满带,但是一个满带和空带之间的能隙很小,或者有交叠。这样它就容易在外界作用(如光照、升温等)下发生跃迁而形成两个导带,从而发生导电现象。但它的导电性能比导体要差得多。 * 半导体又设么特殊作用 锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化镓、磷化镓等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。 是电子元件不可缺少的东西,就是介于导体和绝缘体之间的 * 半导体芯片就是硅晶微体,半导体芯片就是把一个具有一定功能的电
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