项目0 半导体基础知识——场效应管.pptVIP

* * * 项目0 半导体基础知识 1.4 场效应管 场效应晶体管（单极型）是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 11.2.1 数字投音器 场效应管分成的JFET（结型场效应管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）两大类。 场效应管 绝缘栅场效应管 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 栅极G 源极S 1、N沟道增强型MOS管的结构、特点 SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 在P型衬扩散两种N型半导体。 绝缘栅场效应管 G S D Metal-Oxide-Semicnductor 2、 N沟道增强型管的工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 绝缘栅场效应管 G P型硅衬底 N+ N+ S D + – 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 + – UDS + – G P型硅衬底 N+ N+ S D 有导电沟道 （1）转移特性曲线： UDS一定时UGS与ID的关系 无导电 沟道 开启电压UGS(th） UDS UGS/ 当UGS＜UTh时，ID=0； 当UGS=UTh (图中2V)时； 管子开始导通； 当UGS＞UTh时， ID随UGS的增大而增大。 ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 夹断区 (2）输出特性 输出特性是指在某一固定的UGS下，漏源电压UDS与漏极电流ID之间的关系 a. 可变电阻区 曲线呈上升趋势，基本上可看做通过原点的一条直线，管子的漏－源之间可等效为一个电阻，此电阻的大小随UGS而变，故称为可变电阻区。 ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 夹断区 b.恒流区 随着UDS增大，曲线趋于平坦，ID不再随UDS的增大而增大，故称为恒流区。此时ID的大小只受UGS控制，体现了场效应管电压控制电流的放大作用。 c.夹断区 特点是当UGS＜UTh时，沟道消失，ID＝0。 结型场效应管（JFET） 结型场效应管的结构（以N沟为例） 两个PN结夹着一个N型沟道。三个电极： g：栅极 d：漏极 s：源极 符号： N沟道 P沟道 场效应管与三极管 N型 结型场效应管（JFET） N型 结型场效应管（JFET） * * *