2形变2.2.pptVIP

2.2.1 晶体的塑性形变;滑移：晶体的一部分相对另一部分平移滑动。;＋ － ＋ － ＋ － － ＋ － ＋ － ＋ ＋ － ＋ － ＋ － － ＋ － ＋ － ＋;滑移系统：包括滑移方向和滑移面，即滑移按一定的晶面和方向进行。 滑移方向与原子最密堆积的方向一致，滑移面是原子最密堆积面。;[110];滑移面面积：S/cos ?； F在滑移面上分剪力：Fcos ?； 滑移面上分剪应力： ?= Fcos?/(S/cos ?)=(F/S)cos?cos? 在同样外应力作用下，引起滑移面上剪应力大小决定 cos ? cos ?的大小； 滑移系统越多， cos ? cos ?大的机会就多，达到临界剪切应力的机会也越多。; 金属 非金属 由一种离子组成 组成复杂 金属键无方向性 共价键或离子键有方向 结构简单 结构复杂 滑移系统多 滑移系统少;从原子尺度变化解释塑性形变：当构成晶体的一部分原子相对于另一部分原子转移到新平衡位置时，晶体出现永久形变，晶体体积没有变化，仅是形状发生变化。 如果所有原子同时移动，需要很大能量才出现滑动，该能量接近于所有这些键同时断裂时所需的离解能总和； 由此推断产生塑变所需能量与晶格能同一数量级； 实际测试结果：晶格能超过产生塑变所需能量几个数量级。;负荷作用前原子的位置;原子局部位移引起塑性形变的过程;?;当力持续作用，处于移动面1?的下端棱上原子产生一个位移，使它们的位置与半晶面2上端原子位置连成一线，半晶面1?和2的原子（红点）形成一个新原子面，晶面2 ?进一步向右移动，形成一个附加半晶面。 依次类推，下一步2?和3 连接起来。 外力持续作用的结果：晶体在剪切应力作用下，不是晶体中所有原子都同时移动，而是其中一小部分，在较小外力作用下，使晶体两部分彼此相对移动。 ;从上图可以理解在外力作用下： 刃型位错的形成过程； 刃型位错沿滑移面从晶体内部移出的过程； 塑性形变的过程； 位错线运动的特点：整个原子组态作长距离的传播，而每一参与运动的原子只作短距离（数个原子间距）的位移。;实际晶体中存在许多局部高能区，如位错； 受剪应力作用 ，并不是晶体内两部分整体错动，而是位错在滑移面上沿 滑移方向运动； 位错运动所需的力比使晶体两部分整体相互滑动所需力小得多； 实际晶体的滑动是位错运动的结果。;?;?; 附加半晶面棱上的一个原子O受到原子C和D的吸引力。这两个原子对原子O水平方向上的吸引力大小相等，方向相反。 当有剪应力作用，并使原子O有一个小的向右移动，原子D对原子O的吸引力增加，而原子C对原子O的吸引力减小。此时原子O受到向右的推力，使位错向右移动一个距离。; 单个位错移过晶体后，形成一个原子滑移台阶（红色多边形表示滑移面） 位错滑移的结果在宏观上的表现为材料发生了塑性形变。;一列原子的势能曲线;完整晶体的势能曲线 有位错时，晶体的势能曲线 加剪应力后的势能曲线;位错运动的激活能H(?) ，与剪切应力有关，剪应力?大，H(?)小； ?小，H(?)大。当? =0时，H(?)最大,H(?)=h?.;? =0，T=300 则 kT=4.14×10- 21J=4.14×1021×6.24×1018eV=0.026eV 金属材料H(?)为0.1－0.2eV，离子键、共价键为1eV数量级，室温下无机材料位错难以运动；因为h ? h ? ? H(?)，所以位错只能在滑移面上运动。 温度升高，位错运动速度加快，对于一些在常温下不发生塑性形变的材料，在高温下具有一定塑性。; 结 论 位错运动理论说明，无机材料中难以发生塑性形变。当滑移面上的分剪应力尚未使位错以足够速度运动时，此应力可能已超过微裂纹扩展所需的临界应力，最终导致材料的脆断。;（5）形变速率(或应变速率）;考虑位错在运动过程增殖，通过边界位错数为cn个，c为位错增殖系数。 每个位错在晶体内通过都会引起一个原子间距滑移，也就是一个柏格斯矢量(b)，单位时间内的滑移量： cnb/t= ?L /t 应变速率： U=d?/dt= ?L /Lt=cnb/Lt=cnbL/L2t=vDbc ;b 讨论： 塑性形变速率取决于位错运动速度、位错密度、柏格斯矢量、位错的增殖系数，且与其成正比。 柏格斯矢量与位错形成能有关系E=aGb2，柏格斯矢