金属有机化学气相沉积法制备Al掺杂ZnO透明导电膜.PDFVIP

硅 酸 盐 学 报 Vo1．38，NO．1 第38卷第 1期 2010年 1月 J0URNALOFTHECHINESECERAM ICSOCIETY January，2010 金属有机化学气相沉积法制备Al掺杂ZnO透明导电膜 谢春燕，张 跃 (北京航空航天大学材料学院，空天材料与服役教育部重点实验室，北京 100191) 摘 要：采用自行开发的金属有机化学气相沉积(metalorganicchemicalvapordeposition，MOCVD)~，以乙酰丙酮锌和乙酰丙酮铝分别为锌源和铝源， 以氮气为载气，在玻璃衬底上制备A1掺杂ZnO(AI．dopedZnO，ZAO)薄膜。通过改造MOCVD设备提高制备薄膜的稳定性和均匀性，研究了基片温 度、载气流量、水蒸气等沉积条件对薄膜结构，沉积速率及其光、电性能的影响。用扫描电子显微镜、x 射线衍射、紫外一可见分光光度计和四探针 双电测电阻仪分别观察薄膜形貌结构，并测试其光、电性能。结果表明：薄膜为均匀、致密的纳米多晶薄膜，具有六角纤锌矿结构，且呈C轴择优取 向生长：薄膜的(oo2)衍射峰与纯ZnO相比向低角度方向偏移，表明Al进入了ZnO晶格，并导致晶格膨胀；薄膜的紫外一可见光谱透过率在 85％以_匕； 电阻率最小可达 104Q．cm。 关键词：金属有机化学气相沉积；铝掺杂氧化锌；透明导电薄膜 中图分类号：TQI32．4 文献标志码 ：A 文章编号：0454I5648(2010)O1__0021—04 TRANSPARENT CoNDUCTIVEALUM INIUM ．DoPED ZINC oⅪ DEFILM PREPARED BY METALoRGANIC CHEM ICAL VAPoRDEPoSITIoN M ETHoD X／EChunyan，ZHANG Yue (KeyLaboratoryofAerospaceMaterialsandPerformnaceofMinistryofEducation，SchoolofMaterialsSciencenad Engineering，BeihangUniversity,Beijing100191，China) Abstract：Aluminium。dopedzincoxidefZA01filmswerepreparedonaglasssubstratebyaself-designedmetalorgna icchemical vapordeposition(MOCVD)method．Zn(C5H702)2．H20andAl(C5HTO3)3wereusedaszincsourcenadaluminumsourcerespectively， nadnitrogenWasusedasacarriergas．TheimprovementoftheMOCVD equipmentcouldoptimizethestabilitynaduniformiyt of films．Th eeffectsofsubstratetemperature．carriergasflow ratenadwaterVaporonthestructural，optical，electricalpropertiesnad depositionratewereinvestigated．Th echraactersofthefilmsweredetemr niedbyX—raydiffractometer．scanningelecrtonmicroscope na dulrtaviolet-visiblespecrtometerandfour—Donitprobe．Th eresultsshow thatal1htethinfilmsraehexagonalwurtzitecrystal structureswithahighlyc．axisorienattion．Th e(002)peaI(ofhtefilmsshiftstoalowerangle，indicatnigthatAlhasbeendopedinto theZn