锌掺杂包覆状氮化镓纳米线的制备及表征.PDFVIP

３６ ４ Ｖｏｌ３６Ｎｏ４ 第 卷 第 期 桂 林 理 工 大 学 学 报 ２０１６ １１ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＧｕｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｎｏｖ　２０１６ 年 月  文章编号：１６７４－９０５７（２０１６）０４－０８０４－０４　　　　　 ｄｏｉ：１０３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ１６７４－９０５７２０１６０４０２６ 锌掺杂包覆状氮化镓纳米线的制备及表征 ， ， 　 ， ， ， 吴丽君 李林虎 张 勃 张轩硕 宋建宇 沈龙海 （ ， 　１１０１５９） 沈阳理工大学 理学院 沈阳 　 ： ＧａＮ 。 Ｘ （ＸＲＤ）、 摘 要 采用化学气相沉积法在石英衬底上沉积出锌掺杂的 纳米线 利用 射线衍射 扫描电 子显微镜（ＳＥＭ）、Ｘ射线能谱仪（ＥＤＳ）和拉曼光谱（Ｒａｍａｎ）对锌掺杂 ＧａＮ纳米线进行了结构和形貌的表 。 ： ＧａＮ ＸＲＤ ， 。 ＧａＮ 征 结果表明 锌掺杂后 纳米线的 图谱向低角度方向移动 衍射峰更加明显 锌掺杂 纳米线 ， ３００～５００ｎｍ， １５０～２００ｎｍ。 ＧａＮ 存在一层包覆结构 纳米线的直径范围约为 包覆层的厚度在 锌掺杂 纳米 Ｒａｍａｎ Ｅ（ｈｉｇｈ） Ａ（ＬＯ） 。 。 线的 光谱在 ２ 和 １ 出现了微小的红移 最后对包覆结构的可能形成机理进行了探讨 ： ；ＧａＮ ； ； 关键词 化学气相沉积 纳米线 包覆结构 锌掺杂 中图分类号：ＴＢ３８３　　　　　　　　　　　　　　　文献标志码：Ａ ３ ，ＧａＮ（３４ｅＶ） 的生长机理。 作为重要的第 代半导体材料 、 、 、 具有禁带宽度大 击穿场强大 介电常数小 电子 １　 　 实 验 、 漂移饱和速度高 衬底的绝缘性能和导热性能良好 ， 等优点 已成为目前世界上最先进的半导体材料 １１　样品制备 ［１－３］ 之一 。其一维半导体纳米结构在微电子和光电 在自制真空管式炉中制备锌掺杂 ＧａＮ纳米线 ［４－６］ 子器件等领域具有广泛的应用前景 。随着未来 （ １）。 图 镓源和锌源放置在超声波清洗后的陶瓷 ， ＧａＮ ， ， 纳米电子器件的不断发展 一维 纳米材料的 舟中 石英衬底置于其正上方 把陶瓷舟置于石英 ［７－９］ 掺杂已成为当今研究者广泛关注的热点 。