DS18B20的报告(附带程序).doc

DS18B20温度传感器 数字温度传感器DS18B20具有耐磨耐碰，体积小，使用方便，封装形式多样，适用于各种狭小空间设备数字测温和控制领域。 图1.1.1 引脚说明：GND为接地引脚；DQ为数据输入输出脚。用于单线操作，漏极开路；VCC接电源正；单总线通常要求接一个约4.7K左右的上拉电阻，这样，当总线空闲时，其状态为高电平。 如图1.1.2是温度传感器DS18B20 图1.1.2 温度传感器DS18B20适应电压范围更宽，电压范围：3.0～5.5V，在寄生电源方式下可由数据线供电温范围－55～＋125，在-10～+85时精度为±0.5可编程的分辨率为9～12位，对应的可分辨温度分别为0.5、0.25、0.125和0.0625，可实现高精度测温在9位分辨率时最多在93.75ms内把温度转换为数字，12位分辨率时最多在750ms内把温度值转换为数字，速度更快3.0～5.5V由数据线供电 图1.1.3 64 位闪速ROM的结构如下： MSB LSB MSB LSB MSB LSB 开始8位是产品类型的编号，接着共有48 位是DS18B20 唯一的序列号。最后8位是前面56 位的CRC 检验码，这也是多个DS18B20 可以采用一线进行通信的原因。 高速暂存存储器: 高速暂存存储器由9个字节组成，其分配如图所示。 高速暂存存储器 字节0~1 温度寄存器 当DS18B20接收到温度转换命令后，开始启动转换。转换完成后的温度值就以16位带符号扩展的二进制补码形式存储在高速暂存存储器的第1，2字节。单片可通过单线接口读到该数据，读取时低位在前，高位在后。温度值格式如下：DS18B20 的温度操作是使用16 位，也就是说分辨率是0.0625。BIT15~BIT11 是符号位，为了就是表示转换的值是正数还是负数。 DS18B20温度传感器主要用于对温度进行测量，数据可用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供，并以0.0625℃／LSB形式表示表2是 2~3：TH 和TL配置 TH 与TL 就是所谓的温度最高界限，和温度最低界限的配置。 字节 4：配置寄存器 R1 与R0 位组合了四个不同的转换精度，00 为9 位转换精度而转换时间是93.75ms，01 为10 位转换精度而转换时间是187.5ms，10 为11 位转换精度而转换时间是375ms，11 为12 位转换精度而转换时间是750ms（默认）。 DS18B20时序图： DS18B20 的复位时序如下： 1.单片机拉低总线480us~950us, 然后释放总线（拉高电平）。 2.这时DS18B20 会拉低信号，大约60~240us 表示应答。 3.DS18B20 拉低电平的60~240us 之间，单片机读取总线的电平，如果是低电平，那么表示复位成功。 4.DS18B20 拉低电平60~240us 之后，会释放总线。 DS18B20读写时序： DS18B20 写逻辑0 的步骤如下： 1.单片机拉低电平大约10~15us,。 2.单片机持续拉低电平大约20~45us 的时间。 3.释放总线 DS18B20 写逻辑1 的步骤如下： 1.单片机拉低电平大约10~15us,。 2.单片机拉高电平大约20~45us 的时间。 3.释放总线  DS18B20 读逻辑0 的步骤如下： 1.在读取的时候单片机拉低电平大约1us 2.单片机释放总线，然后读取总线电平。 3.这时候DS18B20 会拉低电平。 4.读取电平过后，延迟大约40~45 微妙 DS18B20 读逻辑1 的步骤如下： 1.在读取的时候单片机拉低电平大约1us 2.单片机释放总线，然后读取总线电平。 3.这时候DS18B20 会拉高电平。 4.读取电平过后，延迟大约40~45 微妙  DS18B20温度计C程序 //使用AT89s52单片机，12MHZ晶振，用共阳LED数码管 //P0口输出段码，P2口扫描 //#pragma src(d:\aa.asm) #include reg51.h #include intrins.h //_nop_();延时函数用 #define Disdata P0 //段码输出口 #define discan P2 //扫描口 #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit DQ=P3^7; //温度输入口 sbit DIN=P0^7; //LED小数点控制 uint h; // // //*******温度小数部分用查表法**********// uch