要点硅酸镓镧介绍.doc

●硅酸镓镧单晶与其它压电材料的性能比较 SAW性能的比较 与石英相比，硅酸镓镧晶体的机电耦合系数高两至三倍，石英滤波器的带宽在1%以下，硅酸镓镧单晶滤波器的带宽在10%左右，且温度特性几乎完全一样。 硅酸镓镧单晶与钽酸锂晶体相比，具有与钽酸锂晶体接近的机电耦合系数，温度特性大大优于钽酸锂晶体，而且由于硅酸镓镧单晶不是铁电体，无热释电效应，不需极化且不存在反畴区问题，而且直到熔点温度前硅酸镓镧单晶都无相变，消除了由于极化不完全或翻转而造成的器件性能劣化或完全失效的可能性。硅酸镓镧单晶的硬度适中，莫氏硬度为5.5，不潮解且不易溶于常用酸和碱中，非常利于晶片加工和器件制作。同时，硅酸镓镧单晶具有低声散射、体波干扰小的特性，这又非常有利于SAW器件的设计、制作和声表面波性能的充分发挥，减小器件噪声；硅酸镓镧单晶还具有SAW工艺不敏感性，材料具有SAW温度特性的自稳定性，这又非常有利于SAW器件性能重复性、一致性，如允许SAW器件换能器的膜厚有较大误差，也大大提高了器件的可靠性。 ② BAW性能的比较 与石英相比，硅酸镓镧频响更好，等效串联电阻更小，更大的谐振间隔；用硅酸镓镧单晶谐振器与石英谐振器相比，硅酸镓镧单晶谐振器甚至在高次谐振模式的等效串联阻抗也比较小，特别是石英谐振器高次谐振模式有较大的等效串联阻抗而不能起振，而硅酸镓镧单晶谐振器即使是粗糙的表面也可以做较高次的谐振。 ③硅酸镓镧与石英晶体关键性能比较如下： a. 声表面波性能比较 表2-2 硅酸镓镧单晶与石英晶体SAW性能 b. 工艺适应性比较 石英 LGS 备注 温度引起的频率漂移（ppm，±50(C） 80 170 TCSiO2=-0.032ppm/(C2 TCLGS=-0.068ppm/(C2 金属膜厚引起的频漂 （ppm） 305 100 - 金属化比引起的频漂 （ppm） 90 25 - 相速度引起的频漂 （ppm） 50 120 - 总频漂 （ppm） 525 415 - 表2-3 典型切型（YXLT/50°/25°）的声表面波的频漂比较 c. 体声波性能比较 表2-4 硅酸镓镧单晶与石英晶体超声衰减对比 表2-5 优化切向硅酸镓镧与石英晶体性能对比 ●La3Ga5SiO14晶体材料的主要理化和电性能如下： ① La3Ga5SiO14晶体材料的物理性能 表2-6 La3Ga5SiO14单晶基本物理性能 图2-1硅酸镓镧单晶在不同酸中的腐蚀速度 ② La3Ga5SiO14晶体材料的压电、介电和弹性常数 表2-7给出了La3Ga5SiO14晶体材料的弹性、压电和介电常数，根据表中的参数可计算出表2-8所列的SAW参数。 名称 符号 单位 数值 名称 符号 单位 数值 相对 介电 常数 ε11S/ε0 — 19.05 短 路 弹 性 劲 度 常 数 C11E 1011N/m2 1.89 ε33S/ε0 51.81 C12E 1.04 压电 应力 常数 e11 C/m2 -0.44 C13E 1.02 e14 0.10 C14E 0.14 热胀系数 α11 ppm/K 5.05 C33E 2.68 α33 3.46 C44E 0.53 密度 ρ Kg/m3 5760 C66E 0.42 表2-7 La3Ga5SiO14晶体材料的弹性、压电和介电常数 ③ La3Ga5SiO14晶体材料的BAW性能 图2-2 N、k及TCF(1)与θ的关系 ④ La3Ga5SiO14晶体材料的SAW性能 图2-3 vs，K2/2，TCD(1) 及TCD(2)与切角θ及传播方向φ的关系（φ=0°） 图2-4 k2/2、θ、TCD(1) 和TCD(2)的等值图 图2-5 25°Z切硅酸镓镧单晶的vs，K2/2，TCD(1) 及TCD(2)与传播方向的关系 图2-6 θ从-4°～+4° 变化时的频率-温度变化 图2-7 不同传播方向声速与弹性常数的关系 表2-8给出了La3Ga5SiO14晶体材料主要切型的SAW性能，需要指出的是，对La3Ga5SiO14晶体切型与SAW性能关系的研究目前正处于研究高潮，表中所列切型未必是最佳切型。 切向 名称 符号 单位 数值 (0°,140°,25°) 声表面波速度 机电耦合系数 延迟温度系数 VS KS2 TCD m/s % 10-6/K 2740 0.46 0 （15°,151°,40.5°）KS2 TCD m/s % 10-6/K 2681 0.41 0 （0°,150°,24°） KLS2 TCD m/s % 10-6/K 2765 11.3 — 表2-8 La3Ga5SiO14晶体材料的SAW性能 ●硅酸镓镧单晶应用分