08-教案-表面技术概论-气相沉积技术-4.docVIP

授课学时： 3学时 章节名称 第八章 气相沉积技术 备 注 教学目的 和要求 通过本章学习，掌握物理气相沉积和化学气相沉积的基本原理与工艺方法，了解各类不同的气相沉积工艺和材料的适用范围。 重 点 难 点 课程重点内容 （1）物理气相沉积典型的工艺技术及涂层类型和特点； （2）化学气相沉积及其特点。 教学方法 教学手段 1、教学方法：课堂讲授法为主；用精讲的方法突出重点， 用分析证明、分类举例（特别要分清“复合层次”，以免漏层）的方法突破难点。 2、教学手段：以传统的口述，现代的多媒体，再加黑板为辅助的多种手段交叉进行教学。 教学进程设计（含教学内容、教学设计、时间分配等） 8.1概述 气相沉积技术是利用气相之间的反应，在各种材料或制品表面沉积单层或多层薄膜（ 100nm至数微米），从而使材料或制品获得所需的各种优异性能。 分类：物理气相沉积（PVD)，化学气相沉积（CVD） 8.1.1 物理气相沉积 在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离子化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。 真空蒸镀、溅射镀膜、离子镀膜 PVD法已广泛用于机械、航空、电子、轻工和光学等工业部门中制备耐磨、耐蚀、耐热、导电、磁性、光学、装饰、润滑、压电和超导等各种镀层，已成为国内外近20年来争相发展和采用的先进技术之一。 8.1.2 化学气相沉积 把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物、单质气体供给基体，借助气相作用或在基体表面上的化学反应在基体上制得金属或化合物薄膜的方法。 常压化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子化学气相沉积 CVD法在电子、宇航、光学、能源等工业中广泛用于制备化合物单晶，同质和异质外延单晶层，制备耐磨、耐热、耐蚀和抗辐射的多晶保护层。 CVD是大规模集成电路制作的核心工艺，已广泛用于制备半导体外延层、PN结、扩散源、介质隔离、扩散掩蔽膜等。 8.2蒸发镀 在真空条件下，用加热蒸发的方法使镀料转化为气相，然后凝聚在基体表面的方法称为蒸发镀膜，简称蒸镀。 该方法工艺成熟，设备较完善，低熔点金属蒸发效果高，可用于制备介质膜、电阻、电容等，也可以在塑料薄膜和纸张上连续蒸镀铝膜。 8.2.1 蒸镀原理 和液体一样，固体在任何温度下会或多或少的气化（升华），形成该物质的蒸气。 蒸镀过程 真空蒸镀时，蒸发粒子动能为0.1～1.0ev,膜对基体的附着力较弱。 解决措施 ① 加热基极，使基板保持适当的温度，使膜和基体之间形成一薄的扩散层,增大了附着力； ② 对于蒸镀像Au这样附着力弱的金属，可以先蒸镀像Cr，Al等结合力高的薄膜作底层。 8.2.2蒸镀方法 蒸发源：加热待蒸发材料并使之挥发的器具，也称加热器。 蒸镀方法：电阻加热法、电子束加热、高频感应加热、激光蒸镀法 电子束加热：用高能电子束直接轰击蒸发物质的表面，使其蒸发。 电子束加热的特点： 由于是直接在蒸发物质中加热，避免了蒸发物质与容器的反应和蒸发源材料的蒸发，故可制备高纯度的膜层。 可用于粉末、块状材料的蒸发。 用电子束加热也可以使高熔点金属（如W，Mo，Ta等）熔化、蒸发。 8.2.3 蒸发镀膜设备 1真空室：用于放置镀件，进行镀膜的场所； 2真空系统：一般由机械泵、扩散泵、管道、阀门等组成； 3蒸发系统：包括蒸发源，加热蒸发源的电气设备； 4电气设备：用于测量真空系统，膜厚测量系统，控制台等。 8.2.4 蒸镀用途 蒸镀只用于镀制对结合强度要求不高的某些功能膜，例如用作电极的导电膜，光学镜头的增透膜等。 蒸镀用于镀制合金膜时，在保证合金成分这点上，要比溅射困难得多，但在镀制纯金属时，蒸镀可以表现出镀膜速度快的优势。 蒸镀纯金属膜中，90％是铝膜。铝膜在IC行业、制镜工业、电子器件、食品包装、着色装饰等领域具有广泛的应用。 8.3溅射镀膜 溅射镀膜：在真空室中，利用荷能粒子轰击材料表面，使其原子获得足够的能量而溅出进入气相，然后在工件表面沉积的过程。 在溅射镀膜中，被轰击的材料称为靶。 由于离子易于在电磁场中加速或偏转，所以荷能粒子一般为离子，这种溅射称为离子溅射。 8.3.1 基本原理 靶是一平板，由欲沉积的材料组成，一般将它与电源的负极相连。故此法又常称为阴极溅射。 真空室中需要充入气体作为媒介，使辉光放电得以启动和维持，最常用的气体是氩。 接通高压电源时，阴极发出的电子在电场作用下向阳极运动，速度不断增加，和气体原子相撞发生辉光放电，引起气体原子电离，产生大量离子。离子在电场作用下加速撞击靶，发生溅射，产生待镀材料原子沉积于基体上。 溅射过程 溅射机理 溅射完全是动能的交换过程。 入射离子-弹性碰撞-动能传递-级