光电检测技术（乌兰图雅）05 热辐射探测器件2014.pptVIP

二、简答题： 1、为什么由半导体材料制成的热敏电阻温度系数是负的，由金属材料制成的热敏电阻温度系数是正的？ 2、简述热释电探测器的工作原理。 一、概念题： 1、电极化； 2、居里温度 * ? 当A和B两种不同材料的导体接触时，由于两者电子密度不同，因此，电子在两个方向上扩散的速率就不一样。在这种状态下，A与B两导体的接触处就产生了电位差，称为接触电动势。接触电动势的大小与导体的材料、接点的温度有关，与导体的直径、长度及几何形状无关。 ⑵接触电动势 热电探测器件与普通的温度计的区别: 相同点： 二者都有随温度变化的性能。 不同点： 温度计是通过液体热胀冷缩原理，要与外界有尽量好的热接触，必须达到热平衡。 热电探测器要与入射辐射有最佳的相互作用，同时又要尽量少的与外界发生热接触；能把热能转换成电能。 在结构上既可以是线、条状的实体，也可以是利用真空沉积技术或光刻技术制成的薄膜。实体型的温差电偶多用于测温，薄膜型的温差电堆（由许多个温差电偶串联而成）多用于测量辐射。 2、结构 测温热电偶测量范围很大，大约为－200℃～1000℃，测温精确度可高达1/1000℃。 测辐射热电偶测量范围较小，它的热端是用来接收入射辐射的，所以在热端装有一块涂黑的金箔。 热电偶接收辐射一端称为热端，另一端称为冷端。为了提高吸收系数，在热端都装有涂黑的金箔。 温差电势形成的物理过程 半导体材料具有较高的温差电位差，所以辐射热电偶多采用半导体材料。热端接收辐射产生温升，半导体中载流子动能增加。从而，多数载流子要从热端向冷端扩散，结果P型材料热端带负电，冷端带正电；而N型材料情况正好相反。 3、辐射热电偶工作原理 当冷端开路时，开路电压为: Voc=M12ΔT 式中，M12为比例系数，称塞贝克常数，也称温差电势率，单位为V/℃；ΔT为温度增量。 温差电势形成的物理过程 在负载RL上的压降为： 温差电势形成的物理过程 式中，Ri为热电偶电阻，α为吸收系数，W0为入射辐射的功率，GQ为总的热导。 1、响应率 要使热电偶的响应率高，应选塞贝克系数大的材料，并增大吸收系数，内阻要小，热导也要小。对交流响应率来说，降低工作频率，减少时间常数是十分明显的。 2、响应时间 热电偶的响应时间约为几毫秒到几十毫秒，比较大，带宽较窄。多用于测量恒定的辐射或低频辐射。只有少数时间常数小的器件才适用于测量中、高频辐射。 3、最小可探测功率 热电探测器件最小可探测功率的主要限制因素是温度噪声和约翰逊噪声。理想的热电探测器件，噪声等效功率为10-11W数量级。而温差电堆，常温、理想情况下噪声等效功率可达10-9W数量级。 为了减小热电偶的响应时间，常把辐射接受面分为若干块，每块接上一个热电偶，并把这些热电偶串接或并接起来，这样就成了热电堆。 温差电动势的大小和正负与材料的性质有关，用作热电极的材料应具备如下几方面的条件： (1)温度测量范围广：温度与热电动势的关系是单值函数，最好是呈线性关系。 (2)性能稳定：要求在规定的温度测量范围内使用时热电性能稳定，均匀性和复现性好。 (3)物理化学性能好：要求在规定的温度测量范围内使用时不产生蒸发现象。有良好的化学稳定性、抗氧化性或抗还原性能。 ⑴由半导体材料制成的温差电堆，一般都很脆弱，容易破碎，使用时应避免振动。 ⑵额定功率小，入射辐射不能很强，它允许的最大辐射通量为几十微瓦，所以通常都用来测量微瓦以下的辐射通量。 ⑶应避免通过较大的电流，流过热电偶的电流一般在1微安以下，决不能超过100微安，因而千万不能用万用表来检测热电偶的好坏，否则会烧坏金箔，损坏热电偶。 ⑷保存时不要使输出端短路，以防因电火花等电磁干扰产生的感应电流烧毁元件。 ⑸工作时环境温度不宜超过60℃。 二、简答题： 1、热电探测器与光电探测器比较，在原理上有何区别？ 2、简述辐射热电偶的使用注意事项。 一、填空题： 热电探测器是将辐射能转换为（ ）能，然后再把它转换为（ ）能的器件。 三、选择题： 1、关于辐射热电偶，正确的说法是（ ） A、保存时应使输出端开路 B、可以测量较强的辐射通量 C、可以用万用表的欧姆档来检测好坏 D、使用时应避免振动 2、要使热电探测器的温度升高，对入射辐射的要求是（） A、功率要大、调制频率要大 B、功率要小、调制频率要小 C、功率要大、调制频率要小 D、功率要小、调制频率要大 NTC的电阻值可以随温度的上升而下降，由于其温度系数非常大，所以可以检测微小的温度变化，因此被广泛应用在