Medici做出来的NMOS器件仿真图-浙江大学信电系.PPT

* */138 34... COMMENT Specify contact parameters 接触材料特性 35... CONTACT NAME=Gate N.POLY 36... COMMENT Specify physical models to use 选择模型 37... MODELS CONMOB FLDMOB SRFMOB2 （CONMOB：杂质分布有关, FLDMOB：电场分布有关，SRFMOB2：表面迁移率降低效应被考虑 ） 38... COMMENT Symbolic factorization, solve, regrid on +potential 解法，求解 39... SYMB CARRIERS=0 （选用了Poisson来解方程, 势能,载流子类型为 零） * */138 40... METHOD ICCG DAMPED 41... SOLVE （初始条件设置为0 ） 42... REGRID POTEN IGNORE=OXIDE RATIO=.2 MAX=1  + SMOOTH=1 IN.FILE=MDEX1DS OUT.FILE=MDEX1MS （基于电势的变化进行优化，MAX：原始网格最大的划分次数，smooth＝1：各个区域边界不变） 43... PLOT.2D