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  • 2017-11-10 发布于浙江
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MOS存储器与

      MOS存储器 一.存储器的分类   1.只读存储器ROM(read only memory)  (1).固定式只读存储器(掩膜编程ROM)(mask programmed ROM);  (2).可编程只读存储PROM(programmed ROM); 如熔丝型,一旦编程完毕,就不能改. 以上两类都是不挥发性的,断电信息不会丢失. 2.不挥发性读写存储器NVRWM(non-volatile read-write memory) 习惯称为可擦除型ROM. (1)可擦除型EPROM(erasable PROM).紫外光擦除,一次性全部擦除. (2)电可擦除EEPROM(electrically erasable PROM).浮栅隧道结构,可逐字擦写,速度快,不需从设备上取出.价格较贵. (3)闪烁型   复栅结构,比EEPROM简单,通常用作可变信息的存储. 3.随机存取存储器RAM(random access memory) 挥发性的. (1)静态SRAM:采用双稳态触发器作为存储元件.没有外界触发信号时,不改变状态.只要有电源,信号保持. (2)动态DRAM,利用电容来存储信息,需刷新. 优点:存储单元的元件数少,单元面积小,功耗低,适        合大规模集成;  缺点:需要复杂的刷新电路

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