CMOS制造的工艺流程介绍.docVIP

研究生课程报告 题 目 CMOS制造工艺流程介绍 学生姓名 鲁 力 指导教师 学 院 物理与电子学院 专业班级 电子1602班 研究生院制 2017年4月 CMOS制造工艺流程介绍 CMOS的制作过程需要经过一系列复杂的化学和物理操作最形成具有特定功能的集成电路。而做为一名集成电路专业的学生，对于半导体制造技术中具有代表性的CMOS制造工艺流程有个简单的了解是有很大帮助的。我认为只有了解了CMOS的工艺才会在硬件电路设计中考虑到设计对实际制造的影响。 CMOS制造工艺由14个步骤组成： 双阱注入在硅片上生成N阱和P阱。 浅槽隔离隔离硅有源区。 多晶硅栅结构工艺得到栅结构。 轻掺杂(LDD)漏注入工艺形成源漏区的浅注入。 侧墙的形成保护沟道。 形成的结深大于LDD的注入深度。 接触(孔)形成在所有硅的有源区形成金属接触 局部互连()工艺 通孔1和钨塞1的形成 金属1(M1)互连的形成 通孔2和钨塞2的形成。 制作金属3直到制作压点及合金。 工艺是参数测试，验证硅片上每一个管芯的可靠性 由于这个CMOS制造工艺的流程太复杂，我主要对其中的部分重要工艺做一些介绍。 1、双阱注入双阱注入在硅片上生成N阱和P阱。浅槽隔离硅有源区多晶硅栅结构工艺 晶体管中的栅结构的制作是流程当中最关键的一步，其原因主要是：栅氧化层是艺中最薄的薄膜；多晶硅栅是工艺中物理尺寸最小的结构