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基于聚4鄄乙烯基苯酚衬底修饰层喷墨打印的小分子有机-发光学报
第35卷摇 第1期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾35 No郾1
2014年1月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Jan. ,2014
文章编号:1000鄄7032(2014)01鄄0105鄄08
基于聚(4鄄乙烯基苯酚)衬底修饰层喷墨打印的
小分子有机半导体薄膜制备和表征
1,2 1,3 1,2 1* 1
熊贤风 ,元摇 淼 ,林广庆 ,王向华 , 吕国强
(1. 特种显示技术教育部重点实验室 特种显示技术国家工程实验室
现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地 合肥工业大学光电技术研究院,安徽 合肥摇 230009;
2. 合肥工业大学 仪器科学与光电工程学院,安徽 合肥摇 230009;
3. 合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥摇 230009)
摘要:采用旋涂法预先在SiO 衬底表面形成一层聚(4鄄乙烯基苯酚)(PVP)作为表面修饰层,以喷墨打印的
2
6,13鄄双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS并五苯)作为有源层制作有机薄膜晶体管,有效改善了有机
半导体薄膜的形貌。 采用真空热蒸镀工艺制备源漏电极,形成底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管(OTFT)器
件。 作为对比,在未经过表面修饰的SiO 衬底上采用相同条件打印TIPS并五苯薄膜晶体管,发现在经过
2
PVP修饰的SiO 衬底上打印的单点厚度更均匀,咖啡环效应被抑制或被消除;而通过多点交叠打印形成的矩
2
形薄膜的晶粒尺寸更大,相应的OTFT 器件具有更高的场效应迁移率。 在有 PVP 修饰层的衬底上制作的
2 -1 -1
OTFT,器件在饱和区的平均场效应迁移率达到了0.065 cm ·V ·s ;而直接在SiO 衬底上制作的器件,
2
2 -1 -1
相应的平均场效应迁移率仅为0.02 cm ·V ·s 。
关摇 键摇 词:有机半导体;有机薄膜晶体管;喷墨打印;表面修饰;绝缘聚合物
+
中图分类号:O484.4;TN383 .1摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0105
Preparation and Characterization of Inkjet鄄printed
Small鄄molecule Organic Semiconductor Thin Films Based on
A Surface Modification Layer of Poly(4鄄vinylphenol)
1,2 1,3 1,2 1
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