推荐02半导体及其本征特征2.ppt

关于电容 平行板电容器 +Q -Q E d + - V 面积A 电容C定义为： Q V C＝斜率 直流和交流时均成立 一 MOS结构 交流电容 交流电容C定义为： +Q -Q E d + - V 面积A +?Q -?Q ?V Q V C（V〕＝斜率 对于理想的交流电容，C与频率无关 这里理想指电容中没有能量的耗散： 1、忽略金属引线的电阻（超导线〕 2、介质层不吸收能量 非理想的电容： Cideal Rp RS 半导体中的电容通常是交流电容 例如：突变PN结电容 和平行板 电容器形 式一样 + - V P+ N xd 偏压改变?V 未加偏压时的MOS结构 MOS 电容的结构 MOS电容中三个分离系统的能带图 功函数 无偏压时MOS结构中由于功函数差引起的表面能带弯曲 平带电压 平带电压－－使表面势为0，所需在栅上加的偏压。 施加偏压后的不同状态 反型 耗尽 积累 施加偏压后的不同状态：积累 施加偏压后的不同状态：耗尽 施加偏压后的不同状态：反型 MOS场效应晶体管 场效应晶体管 结型场效应晶体管 （JFET） 金属－半导体场效应晶体管 （MESFET） MOS 场效应 晶体管（MOSFET） 转移特性曲线 提取阈值电压 研究亚阈特性 长沟MOSFET的输出特性 亚0.1微米MOSFET器件的发展趋势 N+ (P+) N+ (P+) P (N) Source Gate Drain N+(P+) 作业 描述二极管的工作机理 讨论PMOS晶体管的工作原理 4. PN结的反向特性 N区 P区 空穴： 电子： P区 N区 扩散 扩散 漂移 漂移 反向电流 反向偏置时，漂移大于扩散 N P N区 P区 电子： 扩散 漂移 空穴: P区 N区 扩散 漂移 反向电流 反向偏置时，漂移大于扩散 5. PN结的特性 单向导电性： 正向偏置 反向偏置 正向导通，多数载流子扩散电流 反向截止，少数载流子漂移电流 正向导通电压Vbi~0.7V(Si) 反向击穿电压Vrb 6. PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳/隧穿击穿 7. PN结电容 § 2.4 双极晶体管 1. 双极晶体管的结构 由两个相距很近的PN结组成： 分为：NPN和PNP两种形式 基区宽度远远小于少子扩散长度 发射区 收集区 基区 发射结 收集结 发射极 收集极 基极 双极晶体管的两种形式：NPN和PNP NPN c b e c b e PNP 双极晶体管的结构和版图示意图 1.3.1　晶体管的结构及类型 常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 图1.3.2a　三极管的结构 (a)平面型(NPN) (b)合金型(PNP) e b b e c P N P e 发射极，b基极，c 集电极。 N c N P 二氧化硅 发射区 集电区 基区 基区 发射区 集电区 图 1.3.2(b)　三极管结构示意图和符号　　NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N 图 1.3.2?　三极管结构示意图和符号　(b)PNP 型 1.3.2　晶体管的电流放大作用 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 三极管内部结构要求： N N P e b c N N N P P P 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 3. 集电结面积大。 实验 + - b c e 共射极放大电路 UBB UCC uBE iC iB + - uCE iE iB 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 iC 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 iE 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 表1-1 电流单位：mA e c Rc Rb 一、晶体管内部载流子的运动 I E IB 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 　　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。 2. 扩散到基区的自由电子与　空穴的复合运动形成基极　电流