SI1012R-T1-GE3;SI1012X-T1-GE3;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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2017-10-16 发布于浙江
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SI1012R-T1-GE3;SI1012X-T1-GE3;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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Si1012R/X Vishay Siliconix N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (mA) Definition 0.70 at VGS = 4.5 V 600 • TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated 20 0.85 at VGS = 2.5 V 500 • Gate-Source ESD Protected: 2000 V 1.25 at VGS = 1.8 V 350 • High-Side Switching • Low On-Resistance: 0.7  • Low Threshold: 0.8 V (typ.) SC-75A or SC-89 • Fast Switching Speed: 10 ns • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC G 1 APPLICATIONS 3 D • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories S 2 • Battery Operated Systems