嵌入式系统导论课件 Lecture5 嵌入式系统的存储器.ppt

存储系统层次结构 存储器分类 按在系统中的地位分类 主存储器（简称内存或主存） 辅助存储器（简称辅存或外存） 高速缓存 按存储介质分类 磁存储器——磁面存储器和磁芯存储器 半导体存储器 光存储器 铁电存储器 按存取方式分类 随机存取存储器（Random Access Memory RAM） 随机存储器按信息存储的方式，可分为 静态RAM（Static RAM，SRAM） 动态RAM（Dynamic RAM，DRAM） 准静态RAM（Pseudo static RAM，PSRAM） SRAM比DRAM快 SRAM比DRAM耗电多 DRAM存储密度比SRAM高得多 DRAM需要周期性刷新 只读存储器（Read Only Memory，ROM） 顺序存取存储器（Sequential Access Memory SAM） 直接存取存储器（Direct Access Memory， DAM） 一个系统中可能出现的七种存储形式 存储体 是信息的驻存地 由许多个存储单元构成，每一个存储单元存放一个数据或一条指令 对全部存储单元进行编码，称为存储单元地址码 单元与地址码一一对应 一个计算机有N个字的存储空间，需要Log 2N位的二进制编码确定每一个存储单元的地址 寻址系统 由储存地址寄存器MAR、地址译码器和地址驱动器三部分构成 对存储单元存入或读出信息，称为访问 I/O设备或CPU访问存储器过程 先将访问地址送入MAR 经地址译码器找到被访问的存储单元 最后由地址驱动器驱动存储单元以实现读或写 寻址系统 地址译码器结构分为 单译码——只有一个译码器，输出字选线 双译码——把译码器分成X方向译码和Y方向译码两个译码器 单译码 地址线为N，输出的状态为2n，对应2n个地址 N较大时，储存器变得复杂，成本上升，性能下降 双译码 每一个方向的输入为N/2,各输出的状态为2n/2 ，共译出状态2n个，译码输出地址线数为2X 2n/2根 节省驱动电路，成本低 读写系统 包括储存缓冲寄存器MBR、读出和写入电路 读出是根据访存的读命令，借助读出线路将由寻址确定的存储单元读出送MBR，以供I/O或CPU使用 时序控制线路 包括控制触发器、各种门电路和延迟线 随机存取存储器（RAM） 半导体存储器的最小逻辑单位是存储元件，它存储1位二进制信息 由若单存储元件构成一个逻辑存储单元，存储一个或多个字节 半导体存储器分为双极性和MOS型两种 MOS型存储器，按存储信息机构的原理分为 静态随机存取存储器（SRAM） 动态随机存取存储器（DRAM MOS型存储器类型 静态随机存取存储器（SRAM） 利用双稳态触发器来保存信息 只要不断电，信息就不会丢失 速度快，集成度低，价格贵 动态随机存取存储器（DRAM） 利用MOS的电容储存电荷来保存信息 使用时需不断给电容充电才能使信息保持 集成度高，速度慢 嵌入式系统的存储器选择 嵌入式系统的存储器选择 嵌入式系统的存储器选择 嵌入式系统的存储器选择 嵌入式系统的存储器选择 嵌入式系统的存储器选择 嵌入式系统的存储器选择 遵循的原则 串行存储器和并行存储器 受微控制器影响 并行：较大的应用系统中微控制器无足够的内部存储器 外部串行：较小的应用系统使用含内部存储器的微控制器 储容量的要求 EEPROM和闪存 EEPROM器件可以逐字节地修改，而闪存器件只支持扇区擦除以及对被擦除单元的 字、页或扇区进行编程 存储密度的因素 EEPROM和FRAM FRAM的可读写次数非常高且写入速度较快 EEPROM成本优势 各类存储器的主要特征 快 高 无限 字节 是 否 NVRAM 快 非常高 无限 字节 是 否 FRAM 读出快 写入/擦除慢 中等 10k100k 扇区 是 否 Flash 读出快 写入/擦除慢 高 100万 字节 是 否 EEPROM 快 中等 有限 整块芯片 是，使用设备编程器 否 EPROM 快 中等 0 不能擦除 一次，使用设备编程器 否 PROM 快 底 0 不能擦除 否 否 OTP ROM 快 低 0 不能擦除 否 否 屏蔽ROM — 中等 无限 字节 是 是 DRAM 快 高 无限 字节 是 是 SRAM 速度 价格 最大擦 除次数 擦除规模 可编程性 易失性 存储器 类型 只读存储器（ROM） 结构简单，无需写入电路，造价低，集成度高 非易失性器件，断电后信息不会丢失，可靠性高 种类多 掩模式ROM（Masked ROM，MROM） 一次可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 电擦除电可编程ROM（EEROM） 闪存（Flash Memory） 嵌入式系统的主存 VCC 行线 列线 熔丝 熔丝断 为 “0” 为 “1” 熔丝未断 只读存储器（ROM） 掩模 ROM