基于MgxZn1xO薄膜固体装配型体声波谐振器.PDF

第 35 卷 第3 期 Vol. 35, No.3 2016 年 5 月 Journal of Applied Acoustics May, 2016 ⋄ 研究报告⋄ 基于Mg Zn O薄膜固体装配型体声波谐振器 汪 军 段 力 刘一剑 苏言杰 沈 勇 卢学良 张亚非 (上海交通大学电子信息与电气工程学院 上海 200240) 摘要 本文研制了一种基于磁控溅射掺镁氧化锌(Mg Zn O) 压电薄膜的S 波段固体装配型体声波谐振器 (SMR-FBAR)。相比传统的氧化锌(ZnO) 薄膜，Mg Zn O 具有高纵波声速，高电阻率优点，而且Mg 原子以 替位或填隙的方式进入晶格，没有改变ZnO 的铅锌矿结构。通过优化磁控溅射参数的方法，获得了 轴方向生 长良好的Mg Zn O 薄膜，并成功制得了串联谐振频率以及并联谐振频率分别在2.416 GHz 和2.456 GHz 的谐振器，测得其有效机电耦合系数为4.081%，回波损耗(S) 为 dB 。这种SMR 机械强度高、可靠性 高、尺寸小，具有可立体集成到CMOS 芯片表面的优势。 关键词 掺镁氧化锌薄膜，固体装配型，薄膜体声波谐振器，S 波段，集成电路 中图分类号: TN304.21 文献标识码: A 文章编号: 1000-310X(2016)03-0212-07 DOI: 10.11684/j.issn.1000-310X.2016.03.005 Solidly mounted film bulk acoustic resonator based on Mg Zn O thin film WANG Jun DUAN Li LIU Yijian SU Yanjie SHEN Yong LU Xueliang ZHANG Yafei (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai , China) Abstract With a high mechanical strength and a small size, solidly mounted film bulk acoustic resonator (FBAR) is more advantageous for the next generation S band wireless communication in integrated circuit technology. An S-band FBAR consisting of a novel piezoelectric material Mg Zn O is presented in this paper. Compared to traditional ZnO, Mg Zn O has a higher acoustic velocity and resistance, and the results show that substituting Mg atoms in an interstitial way would not change wurtzite structure of