单向拉伸作用下Cu100扭转晶界塑性行为研究-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 B$ A ##/ A ， ， ， RH5 *B$ -H * A K3S?7 ##/ （ ） ###1A/#F##/FB$ #A F $%/1#$ E(NE DCOPQ(E PQ-Q(E !##/ (748 * D7T * PH? * 单向拉伸作用下 （ ）扭转晶界塑性行为研究! ! #$$ 刘小明 由小川 柳占立 聂君峰 庄 茁! （清华大学航天航空学院，北京 ###$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ##$ ’ % ##$ $ % 应用分子动力学方法研究了在不同扭转角度下的 （ ）失配晶界位错结构，以及不同位错结构对晶界强度 () ## 的影响 模拟结果表明：小角度扭转晶界上将形成失配位错网，失配位错密度随着晶粒之间的失配扭转角度的增加 * 而增加 变形过程中，位错网每个单元中均产生位错形核扩展 位错之间的塞积作用影响晶界的屈服强度：随着位 * * 错网格密度的增加，位错之间的塞积作用增强，界面的屈服强度得到提高 大角度扭转晶界将形成面缺陷，在变形 * 中位错由晶界角点处形核扩展，此时由于面缺陷位错开动应力趋于一致，因此晶界的临界屈服强度趋于定值* 关键词：扭转晶界，失配位错网，强化机理，分子动力学 ： ， ， %!! ’#+ ’,#- ’#. 晶界失配位错的研究表明，失配位错的结构和变形 @ 引 言 机理对薄膜材料、纳晶材料的制备和加工有着重要 的意义* 材料界面上的失配位错网结构影响位错运 对晶界结构及其性能的研究一直是物理学与材 动以及位错间的交互作用，进而对晶界的力学性能 料学研究领域的一个热点 随着材料尺度的减小，晶 * 产生重要的影响* 界对多晶材料特别是纳晶材料的性能有着更为重要 本文以纳米铜（ ）扭转晶界结构为研究对象， ## ［］ 的影响 * 实验研究 通过高清晰透射电镜发现纳米 采用分子动力学方法，系统研究了晶界位错网大小 尺度晶粒中（ ），晶界位错在变形过程中起主导 和晶粒之间扭转失配角度的关系，并试图揭示位错 # 82 ［，］ 作用；分子动力学模拟