基于热绝缘的多孔硅技术及其在微传感器中的应用.pdfVIP

第20卷第3期 无机材料学报 VbI．20．No．3 2005年5月 Journalof Materials May，2005 Inorganic 文章编号：1000—324X(2005)03—0545—05 基于热绝缘的多孔硅技术及其在微传感器中的应用 田斌，胡 明 (天津大学电子信息工程学院，天津300072) 摘 要：介绍了多孔硅的热导率特性以及孔径、孔隙率、热处理等因素对其影响．分析了目前 基于热绝缘的多孔硅制备技术发展现状，着重对阶梯电流法和脉冲电流法进行了介绍和比较， 认为脉冲电流法因为其特殊的优势，将在以后的发展中得到更广泛的应用．多孔硅由于其热绝 缘特性以及技术优势，已经在微传感器领域得到广泛的应用． 关键词：多孔硅；热绝缘；热导率；微传感器 402 中图分类号：TN 文献标识码：A 1引言 多孔硅(PS--PorousSilicon)由于其结构的特殊性而导致其具有特殊的性能，并且在各 个领域得到了广泛的应用．如在微传感器领域，多孔硅在电化学传感器中可以作为选择性 渗透膜实现对特殊物质的选择性渗透【1】；在气敏传感器中在多孔硅的内表面覆盖一层混合 sn．V薄膜可以检测碳氢化合物【21；多孔硅还可以用在相对湿度传感器中[3】等． 目前，要实现微器件或微系统的热绝缘可以有两种方法：首先，薄的硅结构如高热阻性 能的膜或悬臂结构，这可以通过体微机械技术实现[4】)但这种结构的机械稳定性不够高；其 次，可以用其他热导率比较低的材料如石英【引、聚合物膜[6】等，但这些材料和标准半导体 技术不相容．而多孔硅由于其特殊的热性能，可以很好的解决这些问题，因而得到了广泛 的研究． 2多孔硅的热绝缘特性 (10％一90％)【71，而这些结构方面的特点使多孔硅在热性能方面呈现出了特殊性． 通常情况下，多孔硅纳米结构的热导率(TC—thermal 随着多孔硅孔隙率的增加，多孔硅层的TC值会降低． 已有的研究成果表明，不同的制备技术和处理方法得到的不同结构的多孔硅层都具有 不同的热导率．Drost等人【8】研究发现，光照条件下在n型硅上刻蚀得到的是纳米孔径范 收稿日期：2004—03—29，收到修改稿日期：2004-05—11 基金项目：国家自然科学基金60371030)；天津市自然科学基金(023603811) E—mail：t20702b@163．COITI 作者简介； 田 斌(1975-)，男，博士研究生． 万方数据 无机材料学报 围的多孔硅，它的TC值比单晶硅要低两个数量级以上；而在无光照条件下的n型硅形成 值低几倍．这是由于硅微晶粒间的互联在热传导中起着至关重要的作用．硅晶粒的TC值 比其气孔中气体的要高，因此多孔硅结构中的热传输仅仅通过微晶粒进行．多孔硅热导率 的不同主要归因于它们的特征结构尺寸D的不同．对纳米孔硅来说其D值为几个纳米，而 比介孔硅的D远大于或等于A时的热导率要低得多[8“10】． 衬底硅的掺杂程度也对多孔硅的TC值有重要的影响．文献[8]中报道，对于P型轻掺 杂硅所制成的多孔硅其TC值为1．2 80Wm一1K一1． 干燥的氧气中处理1h)的纳米多孔硅和高孔隙率的介孔硅的TC值基本没变，而氧化的低 的热传输有关，氧化硅薄层的热阻比硅纳米晶粒的要高，随着氧化程度的增加，氧化硅薄 层厚度也随之增加，它们之间热阻的差异就变得越来越大【9】． 3基于热绝缘的多孔硅技术 3．1多孔硅的制备技术 在传感器技术中，为确保敏感器件之间的热绝缘性能，多孔硅层应该越厚越好．普通 的阳极极化技术很难得到较厚的多孔硅层．这是由于随着孔深度的增加，孑L底部的HF浓 度会明显的降低，从而使形成的多子L硅层的孔隙率增加和微晶粒尺寸的降低，甚至导致电 抛光．这种结构的变化直接导致TC值随着多孔硅层厚度的增加而减小．从热绝缘的角度 看TC值越低越好，但从机械