管理电路设计(第六章).pptVIP

6．5 高电子迁移率晶体管 6.5.3 频率响应 与MESFET相同，HEMT的高频性能也取决于渡越时间。 当栅极长度为1.0μm，在漏极电压VDS=1.5V下，迁移率 μn=8000cm2/（V·s）时 渡越频率近似为190GHz。 6.2射频二极管 6.2.6 TRAPATT,BARRITT和Gunn二极管 下面简要介绍另外三种形式的二极管，但不涉及其电路描述及电参量的定量推导。 一、 TRAPATT：是俘获等离子体雪崩触发渡越的缩语， TRAPATT二极管是IMPATT二极管在效率上的增强，通过利用能带隙的势阱使实现更高的效率(直到75％) 。这类势阱是位于能带隙内的能级，并可俘获电子。 外电路保证在正半周时产生高的势垒电压，造成电子一空穴等离子体中的载流子倍增。造成在负半周时二极管的整流特性中出现击穿。由于电子—空穴等离子体的建立过程要比在IMPATT二极管中穿过中间层的渡越时间较慢些，故该管的的工作频率稍低于IMPATT二极管。 二、BARRITT：是势垒注入渡越时间的英语缩称。它本质上是渡越时间二极管，其P+NP+掺杂分布的作用像是一个无基极接触的晶体三极管。其空间电荷区域从阴极通过中间层扩展到阳极中；其小信号等效电路模型包括一电阻和—并联电容，电容值与DC偏置电流有关。不同于IMPATT二极管，其AC电路产生一负相位(直到-900)，有5％或更小的相对低的效率。ARRITT二极管在雷达的混频器和检波电路中得到应用。 三、 Gunn二极管(耿氏二极管)是以其发明者命名的。他在1963年发现在某种半导体(GaAs，InP)中，足够高的电场强度能造成电子散射到能带隙分隔增大的区域中；由于带隙能的增加使电子在迁移率μ0受到损失。例如在GaAs中当场强从5kv赠强到7kv／cm时．漂移速度从2x107cm/s降落到小于107cm/s。负的微分迁移率为： 它被用于振荡电路中。为开发Gunn效应在RF和Mw中的应用，需要有一特定的掺杂分布，以保证一旦电压超过所要求的阀值时，就产生稳定的、单—载流子的空间电荷区。 6．3 BJT双极结晶体管 双极晶体管的组成是在NPN或PNP配置下三层交替掺杂的半导体。双极是指少数和多数载流子两者造成内部电流。 6．3．1 结构 由于它的低成本结构、相对高的工作频率、低噪音性能和高的可运行功率容量，BJT成为最广泛采用的有源RF器件之一。通过一特殊的发射极—基极结构(它作为平面结构的一部分)可达到高功率容量。图6．28(a)和图6．28(b)分别表示平面结构的剖面图和交叉指发射极—基极连接的顶视图。 由于图6．28(b)的交错结构，基极—发射极电阻保持在极小值，而不损害其增益特性。由于降低了通过基极—发射极结的电流密度(散粒噪音)和降低了在基极中的无规热运动(热噪音)，低的基极电阻直接改善了信噪比，再增加掺杂浓度(1020-1021cm-3量级)，这两措施既降低基极电阻又增加电流增益。 6．3 BJT双极结晶体管 但是，要保持电极的牢固度十分困难，并且需要自对准 处理。进而，受主和施主浓度很快达到Si或GaAs材料的 溶解度极限，从而对电流增益规定了一个物理极限。因 此，异质结双极晶体管(HBT)应运而生，且越来越流行。 HBT可达到高电流增益，而无需对发射极过度掺杂。 它添加了半导体层(例如GaALAs-GaAs三明治结构)．使 电子电流注入到基极得到加强，而相反的空穴注入到发 射极则得到抑制。结果有极高的发射极效率，这种效率定义为到达基极的电子电流对同一电子电流加上反向到发射极的空穴电流之比。图6．29给出这样一种结构的剖视图。 除GaAs外，用InP发射极和InGaAs基极界面已实现了异质结； InP材料有击穿电压高、能带隙较大和热传导较高的优点。已达到工作频率超过100Gh．同时基极和集电极之间载流子的渡越时间o．5PS。 6．3 BJT双极结晶体管 6．3．2 功能 种类：有两类BJT：NPN和PNP晶体管。 这两类之间的差别在于：用于产生基极、发射极 和集电极的半导体的掺杂。对于NPN晶体管，集电极 和发射极用N型半导体做成，而基极是P型做成的。 BJT是一种电流控制器件．如图6．30示意出其结构、 电符号和有相关的电压与电流规定(针对结结构)的二 极管模型。以NPN为例。 在正常的工作模式(即正向激活模式)下，发射极—基极二极管工作在正向(VBE=0.7V)，而基极—集电极二极管是反向的。这样，发射极注入电子到基极，与此相反，空穴电流从基极到发射极，如果使集电极—发射极电压保持在大于所谓的饱和电压(典型值约为0.1V)，因基极很薄(dB≤lμm量级)并且是经度掺杂的N型层，通