2.1 CMOS工艺.pptVIP

* 5、形成源和漏区 磷注入形成n+区 作为NMOS源、漏区和n阱引出区 硼注入，形成PMOS的源、漏区和p型衬底的欧姆接触区 * 6、形成金属互连线 在整个硅片上淀积氧化层 通过光刻在氧化层上开出引线孔 在整个硅片上淀积金属层，如铝 光刻形成需要的金属互连线图形 Vout Vdd * n阱CMOS剖面结构 GND VDD * 第二章 集成电路制作工艺 2.1.1 集成电路加工的基本操作 2.1.2 MOS结构和分类 2.2.1 N阱CMOS工艺 2.2.2 深亚微米CMOS工艺 2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则 * §2.2.2 深亚微米CMOS结构和工艺 * 深亚微米CMOS工艺的主要改进 浅沟槽隔离 双阱工艺 非均匀沟道掺杂 n+/p+两种硅栅 极浅的源漏延伸区 硅化物自对准栅-源-漏结构 多层铜互连 * 1、浅沟槽隔离 常规CMOS工艺中的LOCOS隔离的缺点 表面有较大的不平整度 鸟嘴使实际有源区面积减小 高温氧化热应力也会对硅片造成损伤和变形 浅沟槽隔离的优势 占用的面积小，有利于提高集成密度 不会形成鸟嘴 用CVD淀积绝缘层从而减少了高温过程 * 浅沟槽隔离（STI） 光刻胶 氮化硅 （a） （b） （c） （d） * 2、外延双阱工艺 常规单阱CMOS工艺，阱区浓度较高，使阱