中文题目-2017年11月.docVIP

中文题目 第1作者姓名1，第2作者2，第3作者3* (1.单位全名 部门(系)全名,省 市(或直辖市) 邮政编码；2. 单位全名 部门(系)全名,省 市(或直辖市) 邮政编码；3.……) 摘 要: 摘要内容(包括目的、方法、结果和结论四要素) 请作者重视摘要的写作，第三人称叙述，不应出现“本文” 关键词: 关键词1; 关键词2；关键词3；……（一般可选3~8个关键词，用中文表示，不用英文，分号隔开） 中图分类号: ****　（注意字母O和数字o的区别）　　 文献标识码: A 示例 高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb I型量子阱室温工作激光器 1,2，张 宇1,2*，廖永平1,2，黄书山1,2，杨成奥1,2，孙姚耀1,2，徐应强1,2， 牛智川1,2* (1.中国科学院半导体研究所 超晶格实验室，北京 100083; 2.中国科学技术大学 量子信息与量子科技前沿协同创新中心，安徽 合肥 230026) : 成功制备出2.6 μm GaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器。利用分子束外延设备（MBE）生长出器件的材料结构。为了得到更好的光学质量，将量子阱的生长温度优化至500，并将量子阱的压应变调节为1.3%。制备了脊宽100 μm 、腔长1.5的激光单管器件。在未镀膜下该激光器实现了最大328 mW室温连续工作，阈值电流密度为402 A/cm2，在脉冲工作模式下，功率达到700 mW。 锑基半导体激光器量子阱中红外 分类号： 文献标识码：itle XING Ming-Ming1, XING Ming-Ming2, XING Ming3* (1.Dept. of ****, University, City Province Zip Code, China；2.Dept. of ****, University, City Province Zip Code, China；3.Dept. of ****, University, City Province Zip Code, China) Abstract: abstract（第三人称叙述，必须与中文一一对应，尽量使用简单句；介绍作者工作（目的、方法、结果）用过去时，简述作者结论用一般现在时参加，具体写法参见英文摘要规范.doc，写完之后务必请你校外教、海归或外国友人看一遍） Key words: keyword1，keyword2， keyword3，……（与中文关键词对应，字母小写(缩略词除外)，用逗号分隔 ）； PACS :******（注意字母O和数字o的区别） 示例 High power GaSb-based 2.6 μm room-temperature laser diodes with InGaAsSb/AlGaAsSb type I quantum-wells CHAI Xiao-Li1,2, ZHANG Yu1,2*, LIAO Yong-Ping1,2, HUANG Shu-Shan1,2, YANG Cheng-Ao1,2, SUN Yao-Yao1,2, XU Ying-Qiang1,2, NIU Zhi-Chuan1,2* (1. State Key Laboratory for Supperlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China; 2. Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026,China) Abstract: GaSb-based InGaAsSb/AlGaAsSb type-I quantum-wells (QWs) laser diodes have been successfully fabricated. The wavelength is expanded to 2.6 μm with high output power. The device structures were grown by molecular beam epitaxy. Under the optimized QWs growth temperature of 500℃,the compressive strain of the QWs are defin