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一种改进的脉冲CVI工艺——强制脉冲CVI。
周 清o① 董绍明o① 张翔宇① 丁玉生①② 王震①② 黄政仁① 江东亮①
摘 要：以脉冲化学气相渗透工艺为基础，通过引入强制方式，使气体前驱物从纤
维束中流过，经过数秒达到一定压力，保持气体在高温反应腔内驻留数秒，然后将
反应容器内的气体抽除，至达到预定真空度后重新充入反应物气体；如此循环，实
现强制脉冲化学气相渗透(FP—CVI)沉积界面。利用该工艺，在热解C界面沉积
过程中发现，随单次驻留时间的增加，热解C层厚度先增加后减小，并且其结构
逐渐由各向异性向各向同性转变。这是由于高温下随着驻留时间延长，甲烷逐渐向
芳香族环状碳化物和多环碳化物转变，裂解生成碳的缘故。H。／MTS=4时，在
的SiC以(111)面取向为主，为口型。
关键词：FP—CVI；SiC；PyC；沉积
An CVI——Forced CVIo
ImprovedPressure-pulsed Pressure-pulsed
Zhou Yusheng①②
Qin99①DongShaominge①ZhangXiangyu①Ding
WangZhen①②HuangZhengren压)JiangDongliang①
‘
Instituteof of
Ceramics，ChineseSciences，Shanghai200050；
(①Shanghai Academy
ofChinese of 100049)
②GraduateUniversity AcademySciences，Beijing
Abstract：An CⅥwasstudied forcedflowinto
improvedpressure-pulsed byintroducing
toflow
cⅥGas wereforced
precursors throughpreformperiodically，
pressure-pulsed
for a andthen it
andheldinthevesselsecondsunder
pressure evacuated．Byrepeating
theforced CVI(FP_CⅥ)werePyC
pressure-pulsed formed．Duringlayerdepositionby
FP-CVI，itwasfoundthatthicknessof increasedas timeincrease，andthen
PyC holding
decreased．The when timewas it
pycpreferredisotropyholding long，whilepreferred
as timewasshort．Itwasresultedfromthatmethanebecamearomatic
anisotropyholding
SiC
du
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