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Al
外加电磁直流磁控溅射法低温沉积ZnO
薄膜的研究。
张小波·裴志亮 肖金泉 宫 骏 孙 超·
(中国科学院金属研究所材料表面工程研究部,沈阳110016)
摘 要:采用外加电磁线圈直流磁控溅射法低温制备了ZnO。Al透明导电薄膜,
研究了不同沉积参数对AZO薄膜电学性能的影响。通过改变外加同轴线圈磁场来
改交基片处等离子体密度,并用Langmuir探针进行了测量。研究结果表明:低温
沉积(100℃)时,增加基片区域等离子体密度可以显著改善AZO薄膜的电阻
率及其空间均匀性,同时也改善了表面形貌,并对其机理进行了分析。
关键词:ZnO:Al;透明导电薄膜;反应溅射,电磁线圈
ofZnO:AIThinFilmsatLow
Preparation DepositionTemperature
with Coilo
DCPlanar aDCSolenoid
by MagnetronSputtering
Xiaobo·PeiXiao JunSunChao·
Zhang ZhiliangJinquanGong
ofMetal
(DivisionofSurfaceand ofMaterials,Institute
Engineering
of 110016)
Research,Chinese
AcademySciences,Shenyang
effectsofdifferent ontheelectrical ofZnO:
Abstract:The parameters properties
A1thinfilm atlowsubstrate were ina
prepared temperatureinvestigatedDC-planar
wasvaried a
sputteringsystem.Near-substrateplasmadensity using
magnetron
with external characterizedaflat
balance coil,and by
magnetronalong axially
its
resultsshowedthattheelectrical and
Langmuirprobe.Experiment properties
thinfilm lowsubstrate as
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