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低温烧结Nb2O52Bi2O32ZnO系高频介质陶瓷3姚尧-无机材料学报
第 14 卷 第 4 期 无 机 材 料 学 报 Vol . 14 , No . 4
1999 年 8 月 Journal of Inorganic Materials Aug. , 1999
低温烧结 Nb O Bi O ZnO 系高频介质陶瓷
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姚 尧 王依琳 赵梅瑜 吴文骏 金行运
( 中国科学院上海硅酸盐研究所 上海 200050)
摘 要
本文研究液相添加剂 ( CuO 、V O 、LiF 、PbO 、H BO 、Bi O ) 对 Nb O Bi O ZnO 系陶瓷的
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烧结和介电特性的影响 基于实验结果 , 研制的Nb O Bi O ZnO 系陶瓷的烧结温度 900 C , 介
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ε δ ( ) ( Δ )
电性 能为 : r = 150 ~ 170 , tan = 0002 ~0008 100MHz , 电容温度 系数 CC ±5 %
( 1MHz)
关 键 词 液相添加剂 , 低温烧结 , 介质陶瓷
分 类 号 TM 534
1 引言
陶瓷材料的低温烧结是材料研究的一个重要方面 , 介质材料亦同样 低温烧结不仅有利
( )
于元器件的 ‘独石’化 , 亦有利于降低能耗及选择低价金属作电极材料 如 Ag 、Cu 等 , 从
而可大幅度地降低生产成本
众所周知 , 降低陶瓷材料的烧结温度有两种方法 : ( 1) 选择低熔点玻璃作液相添加剂 ,
如BaOTiO WO 系[ 1] , 加入 ZnOB O 玻璃等可使烧结温度下降至 1000 C , CaZrO SrTiO
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[2 ] ( )
系 , 加入 SiO B O 系玻璃可使烧结温度低于 1000 C 2 选择烧结温度低的陶瓷材质 , 如
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含 Bi 陶瓷 至今 , 含 Bi 陶瓷已经用于制作压电陶瓷 、电容器等 , 近年来对高频
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