光电集成强电场传感器对待测电场影响的仿真研究-中国电机工程学会.PDF

中国电机工程学会高压专委会2007 年学术年会论文集 光电集成强电场传感器对待测电场影响的仿 真研究 张铮 曾嵘 牛犇 清华大学电机系 摘要 采用Ansoft电磁场有限元仿真分析软件就单屏蔽电极结构光电集成强电场传感器对待测电场影响问题 进行了仿真研究。建立了均匀场中传感器的晶片、金属屏蔽电极、封装外壳的仿真模型，对传感器在不同场 域中的电场响应进行了计算，分析了平板间隙校准的要求、金属电极和封装外壳对电场的影响，为传感器的 科学使用提供了依据。 关键词 光电集成强电场传感器 校准 封装外壳 测量误差 样机见图 1。激光源输出的具有稳定光功率的 1 引言 光束经保偏光纤进入探头。内部固定有一 光电集成电场传感器[1-4] 的信号检测单元 50mm×3mm×1mm的LiNbO3 晶体。如图2、图3 基于 LiNbO [5][6] 所示，晶体前表面利用Ti 扩散法蚀刻两路分支 3 晶体的电光效应 ，是一种体积 光波导，其中一路光波导上电镀一金属层作为 小、响应速度快、测量带宽范围宽和抗电磁干 屏蔽电极。偏振光沿光波导传播，当探头置于 扰能力强的用于测量电场强度的新型电场传 电场中时，电场会引起光波导异常折射率的变 感器。清华大学开发了针对电力系统高电压领 化从而改变传播光线的相位。x 切割的晶体只 域测量应用的光电集成传感器样机，并建立了 配套的测试系统[7] 。 感应 z 方向电场分量，见图 3。由于一路光波 导上电极的屏蔽作用引起两路分支光波导上 光电集成强电场传感器对于高电压放电 感应电场的 z 方向分量不相等，导致两路光束 等领域的研究具有重要意义，但是由于电场测 间相位差的改变。两路有相位差的光线干涉 量属介入测量，传感器的引入会影响待测电 后，经单模光纤传入测量输出系统，输出光功 场。因此，本文针对传感器对源场的影响问题 率改变。传感器输出的光功率与电场存在线性 进行了定量的仿真计算与分析。 关系，因此可以通过测量传感器的输出光功率 2 传感器结构及基本原理 来实现高场强的测量。 本研究室研制的光电集成强电场传感器 图1 传感器实拍图 图2 晶体前表面俯视示意图 图3 晶体横截面示意图 中国电机工程学会高压专委会2007 年学术年会论文集 E 3 传感器校准的仿真研究 A c （1）