SrTiO3薄膜晶格应变和热膨胀行为测定.pdfVIP

SrTi 0。薄膜晶格应变和热膨胀行为测定 汪东华 江苏省产品质量监督检验中心所 Provincial CenterforProducts Jiangsu SupervisingTesting Quality 摘要：利用实验室的高分辨x射线衍射仪，测定了由脉冲激光生长的SrTi03(STO)薄膜的晶格 应变及应变随薄膜厚度的变化；实验表明，薄膜的晶格应变在膜内不是均匀分布的，可以分为 3个深度区域，即表面张力区域、界面释放区域和薄膜应变线形分布区域。原位X射线衍射实 验确定了薄膜的晶格参数随温度的变化，显示完全不同于相应的体块材料，这可能是有于衬底 与薄膜之间不同的热膨胀行为造成的。 由于铁电薄膜可望成为未来非挥发性存储记忆的媒介，对铁电薄膜的研究在国际上引起广 泛的关注[1]。SrTi0。是一类没有铁电性质的典型铁电体[2]，同时又是典型的钙钛矿材料的载 体[3]和典型的相变材料[4]。SrTiox在105K温度会发生从立方到四方的结构相变，但即使温度 降低到接近0K仍观测不到铁电相，因此这个相变是反铁