Zn掺杂的SnO2纳米线的制备与结构表征.pdfVIP

Zn掺杂的SnO：纳米线的制备与结构表征 孟慧，王聪。 (北京航空航天大学理学院，凝聚态物理与材料物理研究中心，北京，100083) 摘要： 本工作利用化学气相沉积(CVD)方法．通过金属Sn粉和Zn粉在770C下与氧气直接反 应，以金为催化剂，成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的SnO：纳米线。并利用X射线衍射 (XPS)等对其形貌和结构特征进行了表征。 关键词：SnO：纳米线，化学气相沉积，Zn掺杂 1．引言 二氧化锡(SnOz)是一种宽带隙氧化物半导体，室温禁带宽度约为3．65eV，有特殊的 透光、导电以及气敏性质，是制备透明电极，气敏元件的理想材料n矗1。大量的研究表明， 化学气相沉积(CVD)方法m·钔是制各低维纳米材料的一种有效方法，相比模板法、水热法等方 法，有着成本低、设备简单的优点。最近，有研究者报道TN用CVD方法制备Sn掺杂的ZnO 纳米线的工作，证明了这种．1：艺应用于纳米线掺杂研究的可行性埔1。关于SnQ纳米线或纳米 带的研究工作已经有很多的报道，但对它的掺杂研究的相关报道很少。 在本文中，采用金属Sn和金属Zn粉末为原料，利用化学气相沉积法实现了制备Zn掺 透射电镜(TEM)，X射线光电子能谱(XPS)等对其形貌和结构特