低温生长Si层中掺锑对上层SiGe虚拟基片中应变的影响.pdfVIP

i 低温生长Si层中掺锑对上层SGe虚拟基片中应变的影晌 谭伟石1，蔡宏灵1，吴小山2，邓开明1，郑鸿祥3 1南京理工大学理学院应用物理系，南京，210094 2南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京大学物理系，南京，210093 3台湾大学凝态科学研究中心，台北 摘要：SiGe虚拟基片是制备具有应变的SiGe／Si基异质结构的基础，其应变状态直接影响成 长于其上的SiGe／Si基异质结构的应变并进而影响后者的光电特性。本文利用固源分子束外 延技术在低温生长的Si层(LT-Si)上沉积SiGe虚拟基片，通过高分辨x射线衍射研究了在 LT-Si中掺锑对SiGe虚拟基片的应变状态的影响。结果表明在LT_Si中掺锑可以有效地调制 SiGe虚拟基片的应变弛豫状态。作为表面活化剂的锑在LT-Si表面的偏聚可能是SiGe虚拟基 片的应变发生快速弛豫的主要原冈。 关键词：SiGe虚拟基片：掺锑；应变调制；高分辨X射线衍射 1引言 因为具有一些独有的特性，比如低的成本，可由组分控制能带结构，并且与现有的硅集 成工艺完全兼容等，SiGe／Si基异质结构越来越受到人们的广泛关注。