超高斯波束圆口径天线近场辐射特性-易迪拓培训.PDFVIP

第24卷第2期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．24，No．2 2012年2月 HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS Feb．，2012 文章编号：lOOl一4322(2012)02—0423—05 超高斯波束圆口径天线近场辐射特性。 史信荣， 刘元安， 刘 芳 (北京邮电大学电子工程学院，北京100876) 摘要： 采用口径场理论分析了不同孔束比(孔径与束腰之比)的超高斯分布圆形口径天线近场辐射特 性，得到了聚焦条件下焦点位置的近场增益解析式。并对不同观测位置点天线的辐射特性进行了仿真，结果表 明：当观测点小于焦距的0．3倍时，且波束阶数大于4时，天线的辐射图样与孔束比无关；当观测点位于焦点 时，设定孔束比，不同阶数的波束分布的辐射图样明显不同，但当孔束比为4以上时，辐射图样基本保持稳定， 而且高阶波束没有旁瓣出现。 关键词： 圆口径；近场；超高斯分布；聚焦；增益 中图分类号：TN82 文献标志码：A doi：10．3788／HPLP0423 有效作用范围皆在近场区域心娟]或通过近场聚焦[1‘4]向远场发射。文献E4]分析了圆口径天线的口径场为均匀 分布及余弦分布的近场功率密度，文献[5]详尽阐释了圆口径场天线的高斯分布的近场增益及辐射特性。当 天馈系统采用激光器作光源，相比于理想的高斯分布[53而言，其发出的波形更接近于超高斯分布【7]。实验上已 经证明：在连续的二氧化碳激光器加装梯度反射镜谐振腔[8曲1或固态脉冲激光器加装非平稳谐振腔[1们能够产 生超高斯波束。因此，如果将超高斯波束的光源经过整形、滤波、光电脉冲转换等信号处理后，将其形成的电流 分布照射在圆口径天线就得到了该天线的超高斯场分布。因此，分析圆口径天线的超高斯分布在近场中的应 用更具有实际意义。本文采用口径场理论推导了聚焦条件下一阶、二阶的场强分布解析表达式，并采用数值仿 真技术对不同位置、不同孔束比的辐射特性进行了仿真。 1 基本理论 图1为圆口径天线球坐标示意图。口为圆口径天线半径，』口为任意一点到圆心的距离，P(r，0，拳)为天线的 观察点。设激励源为超高斯分布Ⅲ F(p，优，￡)=Eoexp[一(褰)“]exp(一i“) (1) 的有效作用距离，提高收发效率，通过聚焦技术如图2所示。将来自不同相位的波束汇聚于P点，因口径上沿 ．D(，=O，O) { 。＼t 支 coordinate Fig．1Spherical forantenna Schematicfor ofcircular antenna system Fig．2 focusing aperture 图1天线球坐标 图z圆口径天线聚焦示意图 *牧稿日期：2011-07—04；修订日期：2011-1l一14 作者简介：史信荣(1978～)，男，工程师，博士研究生，主要研究方向为微波技术与天线；sxrfreeman@126．tom。 万方数据 424 强 激 光 与 粒 子 束 第24卷 半径方向存在相移S，且pp，由二项式定理可知S=pZ／2f，则口径天线的场强分布为¨1 F(p，m，￡)=Eoexp[一(戋)“一i等]exp(一i“) (2) 式中：忌=27cn为自由空间的波数，．；I为光波的波长；，为天线的焦距。利用菲涅耳近似m111