无机窄带隙半导体敏化结构太阳能电池.pptVIP

无机半导体敏化纳米结构太阳能电池研究现状及制备方法 量子点敏化太阳能电池（液态电解液） 原理： 能带匹配，敏化剂导带高于TiO2 导带，电子传递。 优点： a)量子点使得利用热电子或者是由单个光子形成多重载流子提高电池的效率成为可能 b)相比较染料敏化电池，较高的半导体负载量使得其具有更高的吸收系数 c)量子尺寸效应，可以调控半导体带隙和能带的位置（J. Phys. Chem. C 2008, 112, 18737–18753） ETA(extremely thin absorber)solar cell（全固态） 物理思想：吸收层产生电子空穴对总是临近相应的n和p型半导体，这就使得他们在复合之前就被传输掉。不同于p-n结电池，ETA电池对于材料载流子的扩散长度没有要求。（Tetsuo Soga Nanostructured Materials for Solar Energy Conversion Elsevier 2006） ETA电池的能带匹配 n型半导体和吸光层的界面能带的位置应该使得电子只能由吸收层向n型半导体传输，p型半导体的导带边应该高于n型半导体，空穴传输只能由吸光层向p型半导体进行。 量子点敏化和ETA电池组成半导体材料的种类 n型半导体:TiO2，ZnO，SnO2 吸光材料: CdS,CdSe,PbS,CdTe,CuInS2,Bi2S3,In2S3, Sb2S3 等窄带隙半导体。 量子点敏化对于硫化物来说采用多硫化物电解液 ETA电池的空穴导体最常用的是CuSCN和有机的PEDOT:PSS 附加的缓冲层与阻挡层，减小界面载流子的复合 量子点敏化和ETA电池组成半导体材料的制备方法 量子点ETA薄膜制备的方法： （1）原位生长半导体量子点，原子层沉积ALD，化学浴沉CBD，连续离子层吸收和反应silar，电沉积等。 优点：方法简单，负载量较大，值得电池效率较高 缺点：量子点尺寸和分布不可控 （2）另外量子点敏化的方法还包括首先制备单分散较好的胶体量子点，然后将量子点和电极分别浸入溶液中通过量子点在电极上的吸附实现。 优点：量子尺寸可控，可以值得具有单一粒径的量子点。 缺点：多孔体系内部的负载较困难，结合力和负载量受到限制。电池效率较低。 化学浴沉（CBD）以CdS为例 基本反应方程 通过选择合适的反应物：硫脲可以缓慢水解放出S2-和溶液中的Cd2+反应生成CdS，饱和以后就会缓慢产生CdS沉淀。 我们通过在溶液中浸入要制备的基底材料，就可以实现CdS均匀有效负载 优点：条件简单，不需要高真空高温的环境，并且制备的薄膜具有较小的晶粒，具有纳米体系的量子化效应。 缺点：制备半导体材料的质量不高，由于在水溶液中进行，会具有较多的缺陷。是在基底为多孔或者是阵列体系时，会发生孔的堵塞，使得纳米孔无法得到重复的填充。 Successive Ionic Layer Adsorption andReaction (silar) 是一种改进的CBD方法，阴离子和阳离子先驱液至于不同的容器中，通过采用醇溶液可以增加在多孔体系中的渗透能力。 优点：制备条件室温、常压，与CBD相比膜的厚度可以通过简单的改变循环的次数来控制，采用醇溶液体系可以提高在多孔及阵列体系中的沉积量。 缺点：与ALD方法类似，生长速度缓慢。由于生长的环境是在水溶液中进行，因此制得的薄膜具有较多的氧杂质 电沉积 导电基底作为电极，在外界电场的作用 下，溶液中的元素发生氧化还原反应， 沉积在基地表面。如CdS 优点：方法简单，成本低廉，容易控制，适于大规模生产，在基底导电的情况下，对多孔及阵列体系的沉积具有明显的优势。如以多孔氧化铝作为模板沉积金属纳米线。 缺点：要求电极导电，由于在溶液中进行，制备的 半导体的质量不高。 Atomic Layer Deposition 类似于CVD的方法，将CVD的过程分解为两个半反应的过程。反应过程中，各个反应物保持分离以氧化铝为例说明，真空室中首先通入三甲基铝，与硅基底的羟基反应， 生成副产物甲烷 通过惰性气体将真空室中排空，再通入水蒸汽，与悬挂的甲基反应，同样副产物甲烷 ALD在多孔体体系内部均匀沉积材料的优势 优点： a）原子尺度上的膜厚度控制和成分控制 b）可以制备优秀的保形特性，以及大面积平整、规则的模 c）可以在较低的温度下沉积薄膜材料 d）在多孔体系内部沉积均匀薄膜材料具有特别的优势 缺点： a）每个循环沉积单层原子厚度量级的薄膜，使得沉积速率相对于CVD缓慢 b）生成物是通过材料与基底的反应实现，因此要求反应应该是放热的，这样 反应才能进行，这样使得反应的种类受到限制。 其他方法 （1）喷雾热解法（Spray Pyrolysis） 将反应